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CMOS集成电路及其性能特点
接线图
2023年07月21日 22:48 179
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金属—氧化物—半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
CMOS集成电路的性能特点
· 微直流功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
· 高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
· 宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
· 高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的
· “1”为VDD，逻辑“0”为VSS。
· 高输入阻抗—CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
· 高扇出能力—CMOS电路的扇出能力大于50。
· 低输入电容—CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
· 宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。
· 所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。
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