PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor ，形成P-I-N结构而得名，如下图所示：如上图所示，处于...
差动放大电路的改进
接线图
2023年07月21日 22:52 211
admin
由式GS0512可知，要想提高差动放大电路的共模抑制比，就要增大共模负馈电阻Re，但增大Re会使其直流压降增大，
要保持合适的静态工作点，EE就要增大很多，这显然是不经济的。
恒流源电路具有输出电阻很高而直流压降较小的特点，若用恒流源电路代替图Z0502电路中的Re，就可在EE不高的情况下，获得很高的共模抑制比。图Z0506（a）就是一个带有恒流源的差动放大电路，图（b）是它的简化表示。
图中，T3是恒流管，R1、R2、D是它的偏置元件，Re是负反馈电阻，用以提高恒流源电路的输出电阻。由于偏置电路一定，IB3就随之确定，IC3=βIB3，也就确定（T3管工作在放大区）当UCE3变化时，由于IC3几乎不变，则等效交流电阻
将很高而保证T3工作在放大区所需的UCE3 并不高，一般只要UCE3 ≥1V即可。
对恒流源差动放大电路进行静态分析时，应从恒流源电路着手，先确定出IC3，进而可确定出IC1=IC2=IC3/2及 UC1=UC2=EC - IC1RC（对地）等。关于差模放大倍数、共模放大倍数及共模抑制比的计算方法同前面介绍的方法一样，
仅是用恒流源的输出电阻替代了Re。
例题0502 图Z0507是某集成电路的输入级原理电路。已知三极管的β均为100，三极管的UBE和二极管的压降UD均为0.7V，Rc= 7.75kΩ，RL =11.2kΩ，Rb1 = 1.5kΩ，Rb2 = 3.2kΩ，Re = 2.2kΩ，EC = EE = 6V
（1）估算静态工作点Q；（2）估算差模放大倍数；（3）估算差模输入电阻rid和差模输出电阻ro 。
解：（1）若忽略T3管的基极电流，则流过Rb1 的电流为：
流过T3管发射极的电流为
自此可得：
（2）双端输出时的差模放大倍数为：
式中，
所以双端输出时的差模放大倍数 Aud = - 58.9
（3）差模输入电阻和输出电阻分别为：
rid= 2rbe = 2×5.6 = 11.2kΩ ro = 2RC = 2×7.75 = 15.5 kΩ
在实际应用中，差动放大电路还有单端输入-双端输出及单端输入-单端输出等连接方式，其原理可参阅有关资料自行分析。
要保持合适的静态工作点，EE就要增大很多，这显然是不经济的。恒流源电路具有输出电阻很高而直流压降较小的特点，若用恒流源电路代替图Z0502电路中的Re，就可在EE不高的情况下，获得很高的共模抑制比。图Z0506（a）就是一个带有恒流源的差动放大电路，图（b）是它的简化表示。
图中，T3是恒流管，R1、R2、D是它的偏置元件，Re是负反馈电阻，用以提高恒流源电路的输出电阻。由于偏置电路一定，IB3就随之确定，IC3=βIB3，也就确定（T3管工作在放大区）当UCE3变化时，由于IC3几乎不变，则等效交流电阻
将很高而保证T3工作在放大区所需的UCE3 并不高，一般只要UCE3 ≥1V即可。对恒流源差动放大电路进行静态分析时，应从恒流源电路着手，先确定出IC3，进而可确定出IC1=IC2=IC3/2及 UC1=UC2=EC - IC1RC（对地）等。关于差模放大倍数、共模放大倍数及共模抑制比的计算方法同前面介绍的方法一样，
仅是用恒流源的输出电阻替代了Re。例题0502 图Z0507是某集成电路的输入级原理电路。已知三极管的β均为100，三极管的UBE和二极管的压降UD均为0.7V，Rc= 7.75kΩ，RL =11.2kΩ，Rb1 = 1.5kΩ，Rb2 = 3.2kΩ，Re = 2.2kΩ，EC = EE = 6V
（1）估算静态工作点Q；（2）估算差模放大倍数；（3）估算差模输入电阻rid和差模输出电阻ro 。
解：（1）若忽略T3管的基极电流，则流过Rb1 的电流为：
流过T3管发射极的电流为
自此可得：
（2）双端输出时的差模放大倍数为：
式中， 所以双端输出时的差模放大倍数 Aud = - 58.9 （3）差模输入电阻和输出电阻分别为：
rid= 2rbe = 2×5.6 = 11.2kΩ ro = 2RC = 2×7.75 = 15.5 kΩ
在实际应用中，差动放大电路还有单端输入-双端输出及单端输入-单端输出等连接方式，其原理可参阅有关资料自行分析。
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