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MOS门电路
MOS型集成门电路是单极型晶体管。绝缘栅场效应管也就是金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管。MOS场效应管具有制造工艺简单,集成度高,功耗低,抗干扰能力强等优点,主要缺点是工作速度较低。MOS场效应管有N沟道和P沟道两类,每一类又有增强型和耗尽型之分。在本节集成门电路中用的都是增强型场效应管。
1. 下图NMOS“非”门电路,
称为驱动管;的栅极与漏极相联,作为漏极负载电阻,称为负载管。驱动管的跨导较大,一般位100-200uA/V;负载管的跨导较小,一般为5-10 uA/V。因此的导通电阻远比的大。
“非”门电路也称为反相器。
当输入端A为“1”时,T1的栅-源电压UGS大于它的开启电压,T1导通。由于T2的栅极与漏极相联,并接到正电源UDD上,其栅-源电压也大于开启电压,T2总是处于导通状态。而T1的导通电阻远比T2的小,其管压降很小,故输出端Y为“0”。
当输入端A为“0”时,T1的栅-源电压低于它的开启电压,T1截止,输出端Y为“1”。
2.下图是NMOS“与非”门电路
和两个驱动管串联,然后再与负载管串联。工作原理:当A,B两个输入端全为“1”时,和两管导通,它们的导通电阻都比负载管的低得多,因此这两个驱动管的管压降都很小,输出端Y为“0”。当输入端有一个或全为“0”时,则串联的驱动管截止,输出端Y为“1”。
3. 下图为NMOS“或非”门电路,
和两个驱动管并联,然后再与负载管串联。工作原理:当A,B两个输入端全为“1”或其中一个为“1”时,则相应的驱动管导通,输出端Y为“0”。只有当输入端A,B全为“0”时,和都截止,输出端Y才为“1”。这种“或非”逻辑关系可用下式表示: Y=
标签: 电源
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