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CMOS门电路的主要电气指标
CMOS电路示最常用的逻辑电路之一。现给出CMOS门电路的一些主要电气指标和测量方法以便正确使用CMOS电路。
1. 电压传输特性及有关性能参数
采用图(a)所示的测量方法,可测出CMOS非门的传输特性,如图(b)所示。
图 CMOS非门的电压传输特性
由电压传输特性可得下列参数。
① 输出高、低电平VOH和VOL 显然VOH为VDD(最小值一般为0.99VDD);VOL为0V(最大值一般为0.01VDD),因此CMOS电路的逻辑摆幅较大,接近电源电压VDD值。
② 阈值电压VT 由于CMOS非门电压传输特性中输出高低电平的过渡区很陡,故阈值电压VT约为VDD/2。
③ 抗干扰容限 由图(b)可见,CMOS非门的开门电平Von门电平Voff分别为0.45VDD和0.55VDD,因此其高、低电平抗干扰容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的抗干扰容限尽管不一定能达到非门的水平,但一般均大于0.3VDD.当电源电压VDD较大时,其抗干扰能力就很强。
2. 电源电压范围
标准CMOS电路的电源电压范围很宽,可在3~18V范围内工作,电源电压不同,CMOS电路的性能就不同。上述几个与电压传输特性有关的参数,基本上都与电源电压VDD呈线性关系。
3. 传输延迟与功耗
CMOS电路的功耗较小,传输延迟较大,且它们均与电源电压有关。下表列出了温度为
25℃且负载电容为50pF时,不同电源电压下CMOS非门的传输延迟和功耗。由表可见,电源电压越高,CMOS电路的传输延迟越小,功耗越大。
CMOS非门的传输延迟和功耗与电源电压的关系
4. 扇出系数
因CMOS电路有极高的输入阻抗,因此其扇出系数很大,额定扇出系数可达50。但是,
必须指出的是,扇出系数是指驱动CMOS电路的个数,若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言,CMOS电路远远低于TTL电路。
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