PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor ,形成P-I-N结构而得名,如下图所示:如上图所示,处于...
晶闸管触发电路
晶闸管工作中需要触发信号这工作由触发电路完成
常用触发电路:单结晶体管、小晶闸管、晶体管(集成电路)
一、对触发电路的要求
(1)电压和电流足够大
触发电压:4~10V
触发电流:满足晶闸管的要求(不同管值不同)
(2)触发脉冲宽度
应大于晶闸的导通时间, 10μs以上(20~50μs)
(3)不触发时,输出电压〈0.1s~0.2(V)
可以负电压输出
(4)触发脉冲前沿要陡(<10μs)
保证触发时间的准确性
(5)触发脉冲应与主电路同步,应能移相。
二、单结晶体管触发电路
用于中小功率的晶闸管电路中(50A)
一)、单结晶体管的结构、特性
符号:由两个PN结组成: 代号:vu
发射极-e、
第一基极-b、
第二基极-b2
2、等效电路:
Rb1第一基极等效电阻
Rb2第二基极等效电阻
当b2(+),b1(-)时,(Ubb一定)A点电压
η分压系数(0.3~0.9不同管子不一样)(分压比)
3、工作过程:(当Ubb不变)
(1)当Ue〈UA时,V反压Id极不小;
(2)当Ue= UA时,V正压,但e不大,截止。
(3)当Ue= UA +UD时(P)点Id 上升(导通)Rb1减小出现负阻特性。Ue下降Ie上升,P点为峰点(开始出现负阻特性的工作点)这时峰点电压U峰点电流I
(4)当Ue下降至V点时,电阻Rb1不再减小(当Ie上升Ue上升,线性)这一点称为谷点(V)谷点电压Uv谷点电流Iv,P-V之间称为负阻区。
(5)当Uev(当Ie下降、截止)
二)、单结晶体管的自振荡电路
1、原理:S(OFF到ON)接通后
(1)电容充电:Ue = Uc上升
当Ucp时截止、无电流
充电
放电
Uc油续充电上升
(2)电容放电Uc = Up
当Uc = Up时e与b1导通(负电阻区)
Ie上升,C向R1放电在R1上产生电压Uo
(3)电容放电结束
由于R1小Rb1导通也小而R较大,所以电流Ie由C提供。但不能维持。
当电容放完电后,Uc < Uv(谷点)时,R的电流Iv。所以,截止,重新对电容充电。反复上一过程。
2、参数:
(1)对于R(充电电阻)
当Uc = Up时IR(流过R的电流)>IP(当IRP时UC不能上升)Rb1不减小导通)
当Uc = UV时IRV
所以
(2)周期:
(3)脉冲宽度:
决定于R1、C(放电时间常数)
一般
(4)脉冲峰值电压Uom
当UC=UP时,导通。UOM∝UP:而UP=UA+UD=Ubb+UD, 所以UOM∝(≈)ηUbb+UD
当η大或Ubb大时,UOM也大
(5)峰点电压
UP与和Ubb成正比
当上升(或Ubb上升)时UP上升
(6)R2为温度补偿电阻(200Ω左右)
三)、单结晶体管触发电路
对于晶闸管中的触发脉冲应以过零点为起点,开始移相(同步)(α角的起点),所以需一个同步脉冲信号。实际的触发电路如图所示。
T——同步变压器;DW——稳压二极管;RS——限流电阻;R——充电电阻;
C——充电电容;R1——输出电阻;
1、同步电压
2、触发信号
3、主电路电压电流
4、主电路电压电流
5、调压:当改变R下降时,T下降(周期=)控制角α变小下降,θ增加上升。
同样当R上升时,α上升,θ下降
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