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用于电机控制的 GaN 技术
接线图
2023年08月22日 19:57 280
admin
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有卓越的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在此讨论的重点是 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段所提供的优势。
GaN 的优点
氮化镓是一种宽带隙 (WBG) 材料。因此，其禁带（对应于电子从价带传递到导带所需的能量）比硅宽得多：约 3.4 电子伏特 (eV)，而硅为 1.12 eV。GaN HEMT 较高的电子迁移率意味着更高的开关速度，因为通常积聚在接头中的电荷可以更快地分散。上升时间越快，漏源导通电阻 (R DS(on)) 值以及使用 GaN 可实现的降低的栅极和输出电容都有助于其实现低开关损耗，并且能够在比硅高 10 倍的开关频率下工作。减少功率损耗会带来额外的好处，例如更高效的配电、更少的散热以及更简单的冷却系统。 用于电机控制的 GaN 技术
（图片：德州仪器）
在高开关频率下工作的可能性使解决方案能够减少占地面积、重量和体积，从而避免使用电感器和变压器等笨重的组件。图 1显示了采用硅和氮化镓技术构建的功率器件的传导和开关损耗随开关频率上升的趋势线。对于这两种材料，传导损耗保持不变，而开关损耗则增加。但随着开关频率的增加，GaN HEMT 晶体管的开关损耗仍然明显低于硅 MOSFET 或 IGBT，并且开关频率越高，差异越明显。
GaN HEMT 相对于传统硅器件的主要优点是：
更高的转换速率（dV/dt 为 100 V/ns 或更高），从而支持更快的开关速率，从而降低开关损耗；
接近于零的反向恢复电荷（因为 GaN HEMT 没有固有的体二极管，因此不需要反并联二极管，并且降低了功率损耗和电磁干扰 [EMI] 效应）；
在较高温度（高达约 300 °C）下完全运行，而不影响开关能力；
更高的击穿电压（600V以上）；
在给定开关频率和电机电流下，开关损耗为硅 MOSFET 的 10% 至 30%；和
更高的效率、更小的占地面积和更轻的重量。
所有这些特性都有利于在高压高频电机驱动器设计中使用 GaN HEMT 器件。借助 GaN HEMT，设计人员可以构建具有与硅基设计相同的输出特性的电动机，但尺寸更紧凑且功率吸收更低。
高性能电机驱动
低电压、低电感、高转速无刷电机需要典型开关频率在 40 kHz 至 100 kHz 之间的驱动电路，能够最大限度地减少电机扭矩的损耗和变化。驱动交流电机的常见解决方案如图 2所示，包括交流/直流转换器、直流电路（如图2所示）由电容器）和DC/AC转换器（逆变器）。第一级通常基于二极管或晶体管，将 50Hz/60Hz 主电压转换为近似的直流电压，随后对其进行滤波并存储在直流电路中以供逆变器稍后使用。最后，逆变器将直流电压转换为三个正弦脉宽调制 (PWM) 信号，每个信号驱动一个电机相。 用于电机控制的 GaN 技术
直流电路对来自AC/DC转换器的电压和电流进行滤波，抑制可能损坏逆变器晶体管的电压瞬变，减少可能损坏逆变器晶体管的感应电流，稳定提供给负载的电压，并提高整体效率。电容器必须在特别关键的条件下运行，例如高转换速率和高电压峰值。因此，设计人员应仔细选择电容器，以确保所需的高压特性，例如选择贱金属电极 (BME) 电容器。
集成电源解决方案
回到图 2，GaN HEMT 晶体管通常用于实现电机驱动器逆变级，这是高压高频电机驱动器解决方案的最关键点。如今，多种基于 GaN 技术的集成器件已投入商用。
例如，Navitas Semiconductor 的 NV6113 集成了 300 mΩ、650 V 增强型 GaN HEMT；栅极驱动器；和相关逻辑，全部采用 5 × 6mm QFN 封装。NV6113 可承受 200 V/ns 的转换速率，工作频率高达 2 MHz。该器件针对高频和软开关拓扑进行了优化，创建了易于使用的“数字输入、功率输出”高性能动力系统构建块。该电源 IC 将传统拓扑（例如反激式、半桥式和谐振式）的功能扩展到兆赫频带以上的开关频率。NV6113 可以作为单个器件部署在典型的升压拓扑中，也可以并行部署在流行的半桥拓扑中。
德州仪器 (TI) 拥有广泛的 GaN 集成功率器件产品组合。例如，LMG5200 集成了基于增强型 GaN FET 的 80V GaN 半桥功率级。该器件由半桥配置中的一个高频 GaN FET 驱动器驱动的两个 GaN FET 组成。为了简化该器件的设计，TI 提供了 TIDA-00909，这是一种使用带有三个 LMG5200 的三相逆变器的高频电机驱动参考设计。TIDA-00909 提供了一个兼容接口，可连接到 C2000 MCU LaunchPad 开发套件，以便轻松进行性能评估。 用于电机控制的 GaN 技术
GaN 的优点
氮化镓是一种宽带隙 (WBG) 材料。因此，其禁带（对应于电子从价带传递到导带所需的能量）比硅宽得多：约 3.4 电子伏特 (eV)，而硅为 1.12 eV。GaN HEMT 较高的电子迁移率意味着更高的开关速度，因为通常积聚在接头中的电荷可以更快地分散。上升时间越快，漏源导通电阻 (R DS(on)) 值以及使用 GaN 可实现的降低的栅极和输出电容都有助于其实现低开关损耗，并且能够在比硅高 10 倍的开关频率下工作。减少功率损耗会带来额外的好处，例如更高效的配电、更少的散热以及更简单的冷却系统。 用于电机控制的 GaN 技术
（图片：德州仪器）
在高开关频率下工作的可能性使解决方案能够减少占地面积、重量和体积，从而避免使用电感器和变压器等笨重的组件。图 1显示了采用硅和氮化镓技术构建的功率器件的传导和开关损耗随开关频率上升的趋势线。对于这两种材料，传导损耗保持不变，而开关损耗则增加。但随着开关频率的增加，GaN HEMT 晶体管的开关损耗仍然明显低于硅 MOSFET 或 IGBT，并且开关频率越高，差异越明显。
GaN HEMT 相对于传统硅器件的主要优点是：
更高的转换速率（dV/dt 为 100 V/ns 或更高），从而支持更快的开关速率，从而降低开关损耗；
接近于零的反向恢复电荷（因为 GaN HEMT 没有固有的体二极管，因此不需要反并联二极管，并且降低了功率损耗和电磁干扰 [EMI] 效应）；
在较高温度（高达约 300 °C）下完全运行，而不影响开关能力；
更高的击穿电压（600V以上）；
在给定开关频率和电机电流下，开关损耗为硅 MOSFET 的 10% 至 30%；和
更高的效率、更小的占地面积和更轻的重量。
所有这些特性都有利于在高压高频电机驱动器设计中使用 GaN HEMT 器件。借助 GaN HEMT，设计人员可以构建具有与硅基设计相同的输出特性的电动机，但尺寸更紧凑且功率吸收更低。
高性能电机驱动
低电压、低电感、高转速无刷电机需要典型开关频率在 40 kHz 至 100 kHz 之间的驱动电路，能够最大限度地减少电机扭矩的损耗和变化。驱动交流电机的常见解决方案如图 2所示，包括交流/直流转换器、直流电路（如图2所示）由电容器）和DC/AC转换器（逆变器）。第一级通常基于二极管或晶体管，将 50Hz/60Hz 主电压转换为近似的直流电压，随后对其进行滤波并存储在直流电路中以供逆变器稍后使用。最后，逆变器将直流电压转换为三个正弦脉宽调制 (PWM) 信号，每个信号驱动一个电机相。 用于电机控制的 GaN 技术
直流电路对来自AC/DC转换器的电压和电流进行滤波，抑制可能损坏逆变器晶体管的电压瞬变，减少可能损坏逆变器晶体管的感应电流，稳定提供给负载的电压，并提高整体效率。电容器必须在特别关键的条件下运行，例如高转换速率和高电压峰值。因此，设计人员应仔细选择电容器，以确保所需的高压特性，例如选择贱金属电极 (BME) 电容器。
集成电源解决方案
回到图 2，GaN HEMT 晶体管通常用于实现电机驱动器逆变级，这是高压高频电机驱动器解决方案的最关键点。如今，多种基于 GaN 技术的集成器件已投入商用。
例如，Navitas Semiconductor 的 NV6113 集成了 300 mΩ、650 V 增强型 GaN HEMT；栅极驱动器；和相关逻辑，全部采用 5 × 6mm QFN 封装。NV6113 可承受 200 V/ns 的转换速率，工作频率高达 2 MHz。该器件针对高频和软开关拓扑进行了优化，创建了易于使用的“数字输入、功率输出”高性能动力系统构建块。该电源 IC 将传统拓扑（例如反激式、半桥式和谐振式）的功能扩展到兆赫频带以上的开关频率。NV6113 可以作为单个器件部署在典型的升压拓扑中，也可以并行部署在流行的半桥拓扑中。
德州仪器 (TI) 拥有广泛的 GaN 集成功率器件产品组合。例如，LMG5200 集成了基于增强型 GaN FET 的 80V GaN 半桥功率级。该器件由半桥配置中的一个高频 GaN FET 驱动器驱动的两个 GaN FET 组成。为了简化该器件的设计，TI 提供了 TIDA-00909，这是一种使用带有三个 LMG5200 的三相逆变器的高频电机驱动参考设计。TIDA-00909 提供了一个兼容接口，可连接到 C2000 MCU LaunchPad 开发套件，以便轻松进行性能评估。 用于电机控制的 GaN 技术
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