场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型...
适用于 1.3GHz 和 2.3GHz 频段的双频段收发器
接线图
2023年08月22日 19:58 330
admin
在接收侧，信号由两个低噪声放大器（Q1 和 Q11）放大，每个频段一个。它们是使用BFP650 硅锗晶体管制成的。LNA 的增益约为 14dB，噪声系数为 1dB。LNA 微带带通滤波器之后将滤除不需要的信号。这些滤波器的设计需要充分了解 PCB 材料特性（Er、厚度等）。即使这些参数发生很小的变化也会改变滤波器的中心频率，从而降低收发器的性能。所有滤波器都使用开关二极管（DAN235 或任何其他等效类型）在 RX 和 TX 模式之间切换。
第一个混频器是 Mini Circuits RAY-11。这是收发器中最昂贵的组件，但可以用覆盖这些频率的任何其他二极管混频器代替。
第一中频的频率为272MHz。选择该频率的原因是为了简化第一个本振的设计。272MHz IF 放大器使用 BFP650 和 MOSFET BF998， 由 AGC 控制。
1.3GHz 频段的第一个本振频率为 1024MHz，2.3GHz 频段的第一个本振频率为 2048MHz，是 1024MHz 的两倍。从相同的晶体振荡器开始并使用级联乘法器可以为第一个混频器提供来自相同LO的信号，但拾取来自不同级的信号。
RAY-11 混频器和第一个 IF 带通滤波器使用二极管（D3、D4）在 RX 和 TX 模式之间切换。
Q2 和 Q3 是第一个 IF 放大器，第二个 RX 混频器是双栅极 MOS 晶体管 (Q4)。
第二个 IF 为 10.7MHz，并使用晶体滤波器（BW = 3kHz）完成主通道滤波。该滤波器使用二极管（D5 和 D6）在 RX 和 TX 之间切换。在 SSB-TX 模式下，该滤波器用于抑制 DSB 调制后剩余的不需要的边带和残留载波。
Q5和Q6是第二中频放大器，它们由AGC控制。
U1（SA612）具有三重功能。是 RX 模式下的产品检测器、TX 模式下的 DSB 调制器和拍频振荡器，使用外部 10.7MHz 晶体。调节C25可以将BFO的频率设置在晶体滤波器侧面的右侧位置。Q8还具有双重功能，RX模式下的音频前置放大器和TX模式下的DSB缓冲器。
在 TX 模式下，10.7MHz SSB 信号由晶体滤波器过滤并由 U10 放大。随后使用混频器 U11 (SA612) 将信号转换为 272MHz。 用于第一和第二 IF 之间转换的第二 LO 是 PLL 或 DDS，覆盖频率从 261.3MHz 到 263.3MHz。此处未显示该 LO 的原理图。我自己使用了HF DDS (AD9850)上变频至所需频率。
第一个混频器是 Mini Circuits RAY-11。这是收发器中最昂贵的组件，但可以用覆盖这些频率的任何其他二极管混频器代替。
第一中频的频率为272MHz。选择该频率的原因是为了简化第一个本振的设计。272MHz IF 放大器使用 BFP650 和 MOSFET BF998， 由 AGC 控制。
1.3GHz 频段的第一个本振频率为 1024MHz，2.3GHz 频段的第一个本振频率为 2048MHz，是 1024MHz 的两倍。从相同的晶体振荡器开始并使用级联乘法器可以为第一个混频器提供来自相同LO的信号，但拾取来自不同级的信号。
RAY-11 混频器和第一个 IF 带通滤波器使用二极管（D3、D4）在 RX 和 TX 模式之间切换。
Q2 和 Q3 是第一个 IF 放大器，第二个 RX 混频器是双栅极 MOS 晶体管 (Q4)。
第二个 IF 为 10.7MHz，并使用晶体滤波器（BW = 3kHz）完成主通道滤波。该滤波器使用二极管（D5 和 D6）在 RX 和 TX 之间切换。在 SSB-TX 模式下，该滤波器用于抑制 DSB 调制后剩余的不需要的边带和残留载波。
Q5和Q6是第二中频放大器，它们由AGC控制。
U1（SA612）具有三重功能。是 RX 模式下的产品检测器、TX 模式下的 DSB 调制器和拍频振荡器，使用外部 10.7MHz 晶体。调节C25可以将BFO的频率设置在晶体滤波器侧面的右侧位置。Q8还具有双重功能，RX模式下的音频前置放大器和TX模式下的DSB缓冲器。
在 TX 模式下，10.7MHz SSB 信号由晶体滤波器过滤并由 U10 放大。随后使用混频器 U11 (SA612) 将信号转换为 272MHz。 用于第一和第二 IF 之间转换的第二 LO 是 PLL 或 DDS，覆盖频率从 261.3MHz 到 263.3MHz。此处未显示该 LO 的原理图。我自己使用了HF DDS (AD9850)上变频至所需频率。
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