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IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
接线图
2023年09月07日 20:04 306
admin
栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本设计指南也适用于 MOSFET 栅极驱动器。
IGBT/MOSFET 栅极电阻
选择 RG 值时，重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC，我们选择的 RG 在 IC 最大允许功耗额定值范围内，同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看，栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。
因此，当设计人员选择 IGBT 或 MOSFET 时，选择合适的栅极驱动器光耦合器非常重要，因为该驱动器的电流和额定功率决定了 IGBT 或 MOSFET 导通或关断的速度。
步骤 II：计算栅极驱动器中的总功耗：
总功耗 (PT) 等于输入侧功耗 (PI) 和输出侧功耗 (PO) 之和：
[tex]P_{T} = P_{I} + P_{O}[/tex]
[tex]P_{I} = IF_{(ON)} ,max * V_{F},max[/tex]
在哪里，
[tex]IF_{(ON)}，最大值 = 12 mA[/tex]
[tex]V_{F}，最大值 = 1.95 V[/tex]
IF(ON) 可以在建议的工作条件下找到，VF 可以在 ACPL-332J 数据表的电气规格表 5 中找到。
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本设计指南也适用于 MOSFET 栅极驱动器。
IGBT/MOSFET 栅极电阻
选择 RG 值时，重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC，我们选择的 RG 在 IC 最大允许功耗额定值范围内，同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看，栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。
因此，当设计人员选择 IGBT 或 MOSFET 时，选择合适的栅极驱动器光耦合器非常重要，因为该驱动器的电流和额定功率决定了 IGBT 或 MOSFET 导通或关断的速度。
步骤 II：计算栅极驱动器中的总功耗：
总功耗 (PT) 等于输入侧功耗 (PI) 和输出侧功耗 (PO) 之和：
[tex]P_{T} = P_{I} + P_{O}[/tex]
[tex]P_{I} = IF_{(ON)} ,max * V_{F},max[/tex]
在哪里，
[tex]IF_{(ON)}，最大值 = 12 mA[/tex]
[tex]V_{F}，最大值 = 1.95 V[/tex]
IF(ON) 可以在建议的工作条件下找到，VF 可以在 ACPL-332J 数据表的电气规格表 5 中找到。
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