igbt驱动电路，igbt驱动电路原理图

接线图 2023年09月11日 20:30 233 admin

IGBT的驱动电路有什么特点

IGBT (Insulated Gate Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT (Bipolar Transistor)和MOS(Insulated Gate Field Effect Transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流高；MOSFET驱动功率低，开关速度快，但开关压降大，载流密度低。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适合用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。输出和转移特性：IGBT的伏安特性是指以栅压VGE为参数时，集电极电流IC与集电极电压VCE的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，可分为三个部分：饱和区I、放大区II和击穿区III。IGBT作为一种开关器件，稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流ic和栅极电压之间的关系曲线。它具有与MOSFET相同的传输特性。当栅极电压VGE小于导通电压VGE(th)时，IGBT处于截止状态。在IGBT开启后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE成线性关系。与IGBT MOSFET的比较：MOSFET是功率场效应晶体管的全称。它的三极是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好，安全工作面积大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT绝缘栅双极晶体管的全称是MOSFET和GTR(功率晶体管)的组合。它的三极是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A，以IGBT为逆变器的逆变器容量大于250kVA，工作频率20kHz。IGBT是绝缘栅极双极晶体管的缩写。IGBT是由MOSFET和双极晶体管组成的器件。它的输入是MOSFET，输出是PNP晶体管。它结合了这两种设备的优点。它具有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点。它还具有双极器件饱和电压低、容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间，可以在几十kHz的频率范围内正常工作。它在现代电力电子技术中得到了广泛的应用，并在高频和中功率应用中占据主导地位。如果在IGBT的栅极和发射极之间加一个驱动正电压，MOSFET就会导通，使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态，晶体管就会导通。当IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V时，MOS管截止，切断PNP晶体管的基极电流的供给，晶体管截止。像IGBT MOSFET一样，它也是一个压控器件。在它的栅极和发射极之间加一个十V以上的DC电压，只有uA级的漏电流流过，基本不消耗功率。

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对IGBT驱动电路有什么要求

对IGBT驱动电路的要求：(1)提供合适的正向和反向电压，使IGBT可靠地导通和关断。当正偏压增大时，IGBT的通态压降和开通损耗减小，但如果UGE过大，负载短路时其IC会随着UGE的增大而增大，不利于其安全。UGE15V是使用中的最佳选择。负偏置电压可以防止IGBT由于关断时过大的浪涌电流而产生误导。一般来说，UGE=-5V是合适的。(2)2)IGBT的切换时间要综合考虑。快速开关可以提高工作频率，降低开关损耗。但在大电感负载下，IGBT的开通频率不宜过高，因为高速关断和关断会产生较高的峰值电压，可能导致IGBT本身或其他元件的击穿。(3)IGBT开启后，驱动电路应提供足够的电压和电流幅值，以防止IGBT在正常工作和过载情况下退出饱和而被损坏。(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有很大影响。较大的RG有利于抑制IGBT的电流上升率和电压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗。如果RG较小，会导致电流上升率增大，从而导致IGBT的误导性导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构和IGBT的容量有关，一般在几欧姆到几十欧姆之间。小容量IGBT的RG值较大。(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力和对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、驱动和保护电路应与其高速开关特性相匹配。此外，如果没有采取适当的防静电措施，则不能打开G-E断路器。

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IGBT驱动电路如何和IGBT实物进行接线？

安装步骤：1。IGBT模块的安装：为了降低接触热阻，建议在散热器和IGBT模块的安装面之间涂上散热保温混合物。涂覆散热绝缘混合物时，将其涂覆在散热器或IGBT模块的金属基板表面。如图1所示。由于IGBT模块和散热器由螺钉夹紧，散热和绝缘混合物散开，使得IGBT模块和散热器均匀接触。2.螺钉的夹紧方法：螺钉应在推荐的夹紧扭矩范围内夹紧。如果扭矩不够，接触热阻可能会变大，或者在运行中变松。相反，如果扭矩过大，可能会损坏外壳。在挤压模具制成的散热器上安装IGBT模块时，IGBT模块的安装方向平行于散热器的挤压方向，这是为了减少散热器变形的影响。扩展信息：gbt布线的注意事项：1。网格应与任何导电区域绝缘，以避免静电和击穿。当IGBT被封装时，导电泡沫将被放置在G和E极之间，并且它将被短路。组装时，不要用手指直接触摸G极。只有在G极引脚永久连接后，才能拆除G极和E极之间的短接线。2.在大功率逆变器中，不仅上桥臂的开关管要采用独立的隔离电源，下桥臂的开关管也要采用独立的隔离电源以避免环路噪声，并且所有的隔离电源都要满足一定的绝缘等级要求。3.连接IGBT电极端子时，主端子电极之间不应有张力和压力，连接线(带)必须满足应用要求，以免因电极端子发热而导致模块过热。控制信号线和驱动电源线要远离，尽量垂直，不要平行。4.光耦的输出和PCB上IGBT的输入之间的连线应尽可能短，最好不超过3cm。5.驱动信号的隔离应采用高CMR的高速光耦，要求tp 《0.8s，CMR》 l0kV/s，如6N137、TCP250等。6.IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管。使用连接器导线时，立即取下套管并插入导线；或者使用焊接引线时，先焊接再切割套管。

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