mos管开关电路，把MOS管当二极管使用

Pmos管开关电路？

下图是两个PMOS晶体管经典开关电路的应用：第一个NMOS晶体管为高电平导通低电平截断，漏极端接后面电路的接地端；第二种是典型的PMOS晶体管开关电路，高电平关断，低电平导通，漏极端子连接到后级电路的VCC端。首先，MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道。在电力系统中，MOSFET可以看作是一个电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极之间施加正电压时，其开关导通。导通时，电流可以通过开关从漏极流向源极。漏极和源极之间有一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚的是，MOSFET的栅极是一个高阻抗端子，因此应始终向栅极施加一个电压。这是后面描述的电路图中栅极接地的电阻。如果栅极悬空，器件将无法按设计工作，并且可能在不适当的时间开启或关闭，导致系统潜在的功率损耗。当源极和栅极之间的电压为零时，开关断开，电流停止流经器件。虽然此时器件已经关断，但仍然有很小的电流，称为漏电流，即IDSS。第一步：选择N通道或P通道。为设计选择正确器件的第一步是决定是使用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的电源应用中，当MOSFET接地且负载连接到电源电压时，MOSFET构成低压侧开关。在低压侧开关中，考虑到关断或导通器件所需的电压，应使用N沟道MOSFET。当MOSFET连接到总线且负载接地时，使用高压侧开关。通常这种拓扑采用PMOS晶体管的经典开关电路，也是出于电压驱动的考虑。第二步：确定额定电流。第二步是选择MOSFET的额定电流。根据电路结构的不同，额定电流应该是负载在所有条件下所能承受的最大电流。与电压情况类似，设计人员必须确保所选MOSFET能够承受此额定电流，即使系统产生峰值电流也是如此。考虑的两种电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数基于FDN304P管的数据表。参数如图：在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，电流连续通过器件。脉冲尖峰指的是流经器件的大量浪涌(或峰值电流)。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能够承受该最大电流的器件。选定额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际应用中，MOSFET并不是一个理想的器件，因为导通时会有功率损耗，称为导通损耗。当MOSFET“导通”时，它就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)决定，并随温度显著变化。器件的功耗可通过Iload2RDS(ON)计算。由于导通电阻随温度变化，功耗也会成比例变化。VGS施加于MOSFET的电压越高，RDS(ON)越小；否则RDS(ON)会更高。对于系统设计人员来说，这是取决于系统电压的权衡。对于便携式设计，使用较低的电压更容易(更常见)，而对于工业设计，可以使用较高的电压。请注意，RDS(ON)电阻会随着电流略微上升。RDS(ON)电阻的各种电气参数的变化可在制造商提供的技术数据表中找到。第3步：确定散热要求选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计师必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用最坏情况的计算结果，因为这个结果提供了较大的安全裕度，可以保证系统不会失效。MOSFET数据手册中有一些测量数据需要注意；例如封装器件的半导体结和环境之间的热阻以及最大结温。器件的结温等于最高环境温度加上热阻和功率的乘积

值得注意的是，在处理简单热模型时，设计者还必须考虑半导体结/器件外壳和外壳/环境的热容量；也就是说，要求印刷电路板和封装不会立即变热。一般PMOS晶体管，PMOS晶体管的经典开关电路，都会有寄生二极管，其作用是防止源漏端反接。对于PMOS来说，相对于NMOS的优势在于其导通电压可以为0，而DS电压之间的电压差并不大，而NMOS的导通条件要求VGS大于阈值，这样会导致控制电压必然大于所需电压，造成不必要的麻烦。选择PMOS作为控制开关有以下两种应用：第一种应用，PMOS晶体管经典开关电路的电压由PMOS选择。V8V存在时，电压全部由V8V提供，PMOS关断，VBAT不向VSIN提供电压，而V8V低时，VSIN由8V供电。注意R120的接地，可以稳定降低栅极电压。PMOS晶体管经典的开关电路保证了PMOS的正常导通，这也是上面所说的栅极高阻抗带来的隐患。D9和D10的作用是防止电压回流。D9可以省略。这里需要注意的是，实际上电路的DS是接反的，由于附加二极管的导通，开关管的功能无法实现，实际应用时要注意。看这个电路，控制信号PGC控制V4.2是否向P_GPRS供电。在这个电路中，源极和漏极端子没有反向连接。R110和R113的意义在于，R110控制栅极电流不要太大，R113正常控制栅极，把R113拉高，达到PMOS。同时也可以看作是上拉控制信号。当MCU的内部引脚没有上拉，即输出开漏时，不能驱动PMOS关断。此时需要用外接电压上拉，所以电阻R113 R110可以小一点，最多100欧姆。

【求教】MOS管开关电路。

MOS晶体管类似于三极管，但三极管是电流驱动的，而MOS是电压驱动的。因此，控制时需要考虑MOS的G端电压。一般N沟道MOS在3V就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往会加一个电阻连接到12V左右，也就是我们常用的。如我们的一款产品所示，它由一个电机驱动，该电机利用了MOS的开关特性。另外，数字电路用的三极管和MOS是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中PWM直接来自单片机的IO口，0V和5V是可变的。后面一个推挽电路，然后交给MOS。

P沟道MOS管开关电路

P沟道MOS晶体管的开关电路图：MOS晶体管的工作原理(带N沟道增强型MOSFET)。它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，来改变这些“感应电荷”形成的导电沟道的状态，进而达到控制漏极电流的目的。在制造管道时，通过工艺在绝缘层中出现大量的正离子，因此在界面的另一侧可以感应出更多的负电荷。这些负电荷连接高磁导率杂质的N区，形成导电沟道，即使当VGS=0时，也有大的漏极电流ID。当栅电压变化时，沟道中感应的电荷量也发生变化，导电沟道的宽度也发生变化，因此漏电流ID随着栅电压的变化而变化。

MOS管开关电路

1本电路使用NMOS晶体管。如果COP是高配置，那么高的级别为什么在A点？如果Rcop上拉电阻达到1M，A点还高吗？回答：正是因为Rcop，cop在高配置的时候，就是高水平。即使Rcop的电阻高达10MA，还是会很高，但是电阻太高容易导致干扰，所以取几K的电阻就好了。图2中识别的放电用FET大致分析如下：如果NMOS晶体管的栅极B处于低电平，那么放电用MOS晶体管应该是导通的，此时电流流向是D到S。这个分析对吗？答：当DOB为高电平时，放电FET应导通。