TTL反相器的基本电路（六款TTL反相器的基本电路设计原理图详解）

接线图 2023年01月05日 18:24 405 admin

带电阻负载的BJT反相器，其动态性能不理想。因而，在保持逻辑功能不变的前提下，可以另外加若干元器件以改善其动态性能，如减少由于BJT基区电荷存储效应和负载电容所引起的时延。这需改变反相器输入电路和输出电路的结构，以形成TTL反相器的基本电路。

图2表示TTL反相器的基本电路，该电路由三部分组成，即BJTT1组成电路的输入级，T3、T4和二极管D组成输出级，以及由T2组成的中间级作为输出级的驱动电路，将T2的单端输入信号V12转换为互补的双端输出信号。以驱动T3和T4。

TTL反相器的基本电路（六款TTL反相器的基本电路设计原理图详解）第1张

图2 TTL反相器的基本电路

1.TTL反相器的工作原理

（1）当输入为高电平，如vI=3.6V时，电源VCC通过Rb1和T1的集电结向T2、T3提供基极电流，使T2、T3饱和，输出为低电平，vo＝0.2V。此时

VB1=VBC1+VBE2+VBE3=（0.7+0.7+0.7）V=2.1V

显然，这时T1的发射结处于反向偏置，而集电结处于正向偏置。所以T1处于发射结和集电结倒置使用的放大状态。由于T2和T3饱和，输出VC3=0.2V，同时可估算出VC2的值：

VC2=VCES2+VB3=（0.2+0.7）V=0.9V

此时，VB4=VC2=0.9V。作用于T4的发射结和二极管D的串联支路的电压为VC2-VO=（0.9-0.2）V=0.7V，显然，T4和D均截止，实现了反相器的逻辑关系：输入为高电平时，输出为低电平。

（2）当输入为低电平，vI=0.2V时，T1的发射结导通，其基极电压等于输入低电压加上发射结正向压降，即

VB1=（0.2+0.7）V=0.9V

此时VB1作用于T1的集点结和T2、T3的发射结上，所以T2、T3都截止，输出为高电平。

由于T2截止，VCC通过RC2向T4提供基极电流，致使T4和D导通，其电流流入负载。输出电压为

vO≈VCC-VBE4-VD=（5-0.7-0.7）V=3.6V

显然：输入为低电平时，输出为高电平。

2.采用输入级以提高工作速度

当TTL反相器输入电压由高（3.6V）变低（0.2V）的瞬间，VB1＝（0.2+0.7）V＝0.9V。但由于T2、T3原来是饱和的，它们的基区存储电荷还来不及消散，在此瞬间，T2、T3的发射结仍处于正向偏置，T1的集电极电压为

VC1=VBE2+VBE3=（0.7+0.7）V=1.4V

此时，T1的集电结为反向偏置，因输入为低电平时，T1的发射结为正向偏置，于是T1工作在放大区，这时产生基极电流iB1，其射极电流β1iB1流入低电平的输入端。集电极电流iC2≈β1iB1的方向是从T2的基极流向T1的集电极，它很快地从T2的基区抽走多余的存储电荷，使T2迅速地脱离饱和而进入截止状态。T2的迅速截止导致T4立刻导通，相当于T3的负载是个很小的电阻，使T3的集电极电流加大，多余的存储电荷迅速从集电极消散而达到截止，从而加速了状态转换。