VDMOS并联电路设计 - 解读二极管浪涌电流测试电路

接线图 2023年09月27日 21:04 229 admin

　　运放组成基本的反向运算电路，驱动VDMOS管的栅极，漏源电流通过VDMOS管源极取样电阻，加到运放反向输入端，与输入波形相加形成反馈，运放输出电压控制VDMOS管的栅极电压VGS，进而控制漏极输出电流IDS［3］。这个IDS就是施加给待测二极管（DUT）的正向浪涌电流。

　　单只VDMOS管的功率和电流放大能力是有限的，无法达到上千安培的输出电流能力，采用多只并联的方式可以解决这个问题，以达到所需要的峰值电流。常见的连接方法如图3所示。

　　 VDMOS并联电路设计 - 解读二极管浪涌电流测试电路第1张

　　图3 VDMOS并联方式

　　本测试方案采用了成熟的电路控制技术，简洁而有效地实现了各种浪涌冲击测试的要求。使用的都是常规易得的元器件，组建的装置体积小重量轻，可以很方便地安装在普通仪器箱中，成为一件标准测试仪器。具有使用灵活、易操作，测试精准度高，安全可靠等特点。

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