如图所示是采用双栅极场效应晶体管的宽频带高频信号放大器,高频信号经两级变压器耦合后滤除低频信号,然后送到场效应晶体管的Gi,02为增益控制端。场效应...
可在低频~5MHZ范围内振荡的高频电路
可在低频~5MHZ范围内振荡的高频电路
电路的功能
射极耦合多谐振荡器可作为大变化范围的压控振荡器使用。通过对射极电流进行控制,便可直接实现FM调制。改变电容器C2,频率范围可为数赫兹~5MHZ。此外,本电路作为VCO使用时,采用0~5V的控制电压,可获得约15倍以上的变化范围。
电路工作原理
TT2、TT3是射极耦合的多揩振荡电路,在射极和地之间接耦合电阻,蔌象本电路那样,增加TT4和TT5组成的恒流电路,用基极电压对电流进行控制。二极管D2和D3为箝位地极管,可提高开关转换速度。
采用图中的参数,偏压为5V时,可用下式算出振荡频率,即FO≈3.3*10的3次方/C2。对环境温度变化呈正的温度系数,这是因为晶体管的VBE温度系数为负,所以射极电流呈正系数。为此,把PNP的晶体管TT1作为补偿电路,为基极-集电极之间的二极管D1对VBE进行补偿,同时,TT1还完成TT4和TT5的VBE电平移位。
从TT3的集电极输出振荡信号,振幅为+VCC-0.6V。用电容器C3隔去直流,然后用射极输出器输出。
元件的选择
虽然振荡频率的稳定性不很好,但由于电路本身的温度系数为正,所以电容器C2可选用具有正系数的聚酯薄膜电容。晶体管的选择与频率有关,小信号晶体管基本上都可满足要求。
调整
从置偏输入端输入稳定电压,电压范围为0~5V时,若按本电路的参数,振荡频率范围应为10~150KHZ。因为可以设定使振荡频率FO=100K 的偏压或者利用稳定的电源电压,象图中虚线那样再连接VR1对振荡频率进行调节。
作为PLL电路的VCO使用时,去掉R1和D1,加大输入电阻,把相们比较器输出接到置偏输入端即可。
照片A示出偏压为3.3V(FO=100KHZ),从调制输入端输入1KHZ,-20DBM调制信号时的FM频谱。因为采用直接调制方式,所以可以获得大的频率偏移。
应用说明
本电路的参数是按振荡频率为100KHZ设计的,但射极耦合多谐振荡器的振荡频率可在10MHZ以上。为了在更高的频率下工作,可加大晶体管TT2、TT3的射极电流,R4、R5的阻值在数百欧姆以下,R6、R7小于100欧。当然决定振荡频率的C2的容量也要小。
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标签: 高频电路
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