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正确使用SiC MOSFET的出色驱动器
接线图
2023年01月06日 21:16 331
admin
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接线图，并解释了如何将其整合到仿真中。碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来必将在大功率应用中取代硅。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序来保证其明确激活或停用。一般来说，它的闭合需要在“栅极”和“源极”之间施加大约 20 V 的电压，而对于它的打开，需要大约 -5 V 的负电压（地）并且开关驱动器必须非常快，否则，工作温度、开关损耗和电阻 Rds(on) 会增加。某些器件（例如二极管和 SiC 功率 MOSFET）非常昂贵，如果您不能 100% 确定电路，则不方便对其进行试验。电路的模拟非常重要，因为它允许在所有条件下进行完整的分析，同时在您的计算机后面保持安全。在本文中，我们将使用 LTspice 软件。
正确使用 SiC MOSFET 的出色驱动器
本文的仿真重点是驱动程序的性能。如果无法高速提供正确的电压，SiC 器件必然会出现故障，从而导致发热和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S型号，与测试方案一起包含在 TO-220 封装（见图 1）中。它具有以下特点：
- Rds（开）：0.080 欧姆；
- 最大电压 DS：650 V；
- GS 电压：-25 V 至 +25 V；
- 持续漏极电流：31 A；
- 脉冲漏极电流：65 A；
- 最大耗散：190 W；
- 最高工作温度：175℃；
- 优秀的反向恢复；
- 低“门”电荷；
- 容量低；
- ESD保护；
- 非常低的开关损耗。
图 1：UnitedSiC 的 UF3C065080T3S SiC MOSFET 和测试原理图相关文章
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