当PN结加反向偏压时,外加电场方向与PN结的内建电场方向一致,势垒加强,在PN结界面附近载流子基本上耗尽形成耗尽区。当光束入射到PN结上,且光子能量hv大于半导体材料的带隙Eg时,价带上的电子吸收光子能量跃迁到导带上,形成一个电子-空穴对。 在耗尽区,在内建电场的作用下电子向N区漂移,空穴向P区漂移,如果PN结外电路构成回路,就会形成光电流。当入射光功率变化时,光电流也随之线性变化,从而把光信号转换成电信号。 利用光电效应可以制造出简单的PN结光电二极管。但这种光电二极管结构简单,无法降低暗电流和提高响应度,器件的稳定度也比较差,实际上不适合做光纤通信的检测器。
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标签: 传感器电路 电路图
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