BJT可以分为同质结BJT和异质结BJT（称HBT: HeterojuncTIon Bipolar TransiSTor）。MOS型器件有CMOS，NMOS，PMOS，MESFET，HEMT，pHEMT，前面三种基本上只能在Si上实现，后面三种只能在GaAs等化合物半导体商实现。另外还有一些器件具有特殊的衬底：比如说：SOI（SilICon On Insulator），SOS（Silicon On Saphire）。有一种特殊的器件叫JFET，它是单极器件，但是却是依靠控制结势力范围大小来实现电流放大功能的。
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