基础电路中的三极管基础知识及其基本工作原理

接线图 2023年10月21日 08:29 134 admin

　　双极结型三极管相当於两个背靠背的二极体 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC .在共发射极电晶体电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由於 VBE 很小，所以基极电流约爲 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA .
　　如果电晶体的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA.在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而电晶体集电极和发射极之间的压降爲VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β，实现了双极电晶体的电流放大作用。
　　金属氧化物半导体场效应三极管（场效应三极管依靠一种极性的载流子（多数载流子）参与导电，所以又称单极型三极管。又因为这种管子是利用电场效应来控制电流的，所以也称为场效应管。场效应管分为两大类：一类称为结型场效应管，另一类有称为绝缘栅场效应管）的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称爲阈值电压 VT .当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将産生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
　　二、电晶体的命名方法
　　电晶体：最常用的有三极管和二极体两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极体以D表示。按制作材料分，电晶体可分爲锗管和矽管两种。

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