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电源电路中的高压直流稳压电源电路的应用
在实际生产应用中,在许多场合都要求有长期稳定的高压直流电源,并且有时希望输出电压是可凋的。-般的稳压电路很难达到这样的要求,即使做到,其输出的动态范围也不高。笔者在一次设计中,将一般稳压电路中引入一差分电路作稳压电源的取样比较电路。并对电路的参数作了适当的调整,使得整个电源的输出动态范围大大改善,其值可达100V左右。做好的样机经使用后表明,效果甚佳。其指标为:
输入交流150V~250V,输出直流150V一250V上各个值均可稳定,且稳定度很高。
该电源具有受环境温度的影响小,功耗低的特点,适合长期工作。其电原理图见附图。下面对其工作原理作简单的说明。
220V左右的交流电压经桥堆VDl一VD4整流,C1、C2滤波后,在复合调整管集电极与地之间得到大约330V的直流电压,该电压经由R1,VD5组成的前置稳压电路后,便可在输出端得到150V一250V的直流稳定电压。
在图中VD5~VD8为不同规格的稳压二极管,它们在各自的电路中均起一定的稳压作用。VD5和R1组成前置稳压电路。其稳压原理为:由于VD5给V2的基板即V5的集电极提供了一个稳定的电压值,保证了由V1、V2组成的复合管的发射极处于正偏状态,这样不仅可以减小稳压电源的输出电压的波动,而且可以改善稳压电源的调整率,同时也降低了稳压电源的输出阻抗。VD6将V5的发射极电压钳在某一电压之上,这样V5的集电极和发射极间的电压Uce5就不会太大,解决了V5的耐压问题。VD7、VD8是一对正、负温度系数的稳压二极管(稳压二极管又叫齐纳二极管,此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体(半导体:电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5~107欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。)器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。),在很大的程度上减弱了温度变化对输出的影响。二者同时还构成了电源的后端稳压电路。
V2,V1为同类型的大功率管,在电路中构成复合凋整管;是该电源的核心部分。C3是一只起防振作用的瓷片电容。为了进一步减小温度变化对电源的影响,同时为了得到满意的输出动态范围,该电源采用差分电路作取样比较电路。其优点是:稳压效果好、不受温度变化的影响。稳压过程是:只要某种因素引起输出电压的变化,在差动放大器的两端形成一差动输入电压,则将产生-个较大的电压去控制V2,V1的CE端电压变化,将输出电压拉回,达到稳压的作用。
在电路中设置RP1(安装在面板上),可以通过调节RPl获得所需的输出电压。RP2是为了调试方便而设立的。在调试过程中,结合RPl、RP2可以将输出的动态范围调到最大。RP2一经调好。就不要再动,最好用胶将之封固。
这里主要说说对V2、V1的选择,其余元件可参照电原理图的标注选用。根据要求,U0=150V~250V,I0≤50mA,则V1、V2的Uceo为:Uimaxl-Uomin≈370V-150V=220V,于是Pcmax为:IE×Uceo=0.05×220=11W在实际设计中笔者选用了一对3DDl02C.
来源:QICK
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