功率变换部分电路图

接线图 2023年10月21日 09:35 148 admin

　　IGBT的门极驱动电路密切地关系到其静态和动态特性。门极电路的正偏压UGS、负偏压－UGS和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压，开关时间，开关损耗，承受短路能力以及dv/dt等参数均有不同程度的影响。
　　设计驱动电路的一些注意事项如下：
　　1）连线长度应尽量减少与IGBT模块各管脚的连线长度，尤其是门极引线的长度。如果实在无法减少其长度，可以用小磁环或一个小电阻与门极串联。这两个元件应尽量靠近模块门极，它们可以消除寄生震荡。
　　2）精心布局器件尽量作到完全对称，连线尽量同长度并且尽量减短加粗，尽可能用多股绞线。
　　3）泄放电阻在IGBT的门极与源极之间，应加11kΩ的泄放电阻。
　　4）正偏电压UGS的影响当UGS增加时，开通时间缩短，因而开通损耗减少，UGS的增加虽然对减小通态电压和开通损耗有利，但是UGS不能随意增加，当增加到一定程度后，对IGBT的负载短路能力以及dv/dt有不利影响，本电路采用UGS=15V。
　　5）负偏电压－UGS的影响负偏电压是很重要的门极驱动条件，它直接影响IGBT的可靠运行。过高的dv/dt会产生较大的位移电流，使门极源极之间的电压上升，并超过IGBT的门极阈值电压，于是产生一个较大的漏极脉冲浪涌电流，过大的漏极浪涌电流会使IGBT发生不可控的擎住现象，为了避免IGBT发生这种误触发，可在门极加反向偏置电压，本电路加－UGS=－12V。
　　6）门极电阻的影响门极电阻选用的原则为，在开关损耗不大的情况下，应选用较大的门极电阻，但当门极电阻增加时，IGBT的开通与关断时间增加，进而使每脉冲的开通能耗EON和关断能耗EOFF也增加，所以综合考虑本电路采用51Ω。

功率变换部分电路图第1张