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逆变电源中的逆变器电路图二
接线图
2023年10月21日 10:55 132
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该逆变器电路由低频振荡器、缓冲器和推挽放大输出电路组成,如图所示。
图 逆变器电路
低频振荡器由非门集成电路IC(D1~D4)内部的两个非门电路D1、D2和电阻器R1、电位器RP、电容器C组成。
缓冲器由IC内部的非门电路D3、D4和电阻器R2、R3组成。
推挽放大输出电路由稳压二极管VS1、VS2、VM0S场效应晶体管VF1、VF2和变压器T组成。
电阻器R4、二极管VD和稳压二极管VS3组成IC的供电电路。
发光二极管V1,和电阻器R5组成工作指示电路。
接通电源开关S后,低频振荡器振荡工作并产生50Hz振荡信号。该振荡信号经非门D3缓冲、整形后,一路经电阻器R3直接加至VF2的栅极,另一路经非门D4反相处理后再经R2加至VFI的栅极,使VF1在振荡信号的正半周时导通工作,VF2在振荡信号的负半周期间导通工作。经VF1和VF2推挽功率放大处理后,在T的二次绕组两端产生交流220V电压。
调整R1、RP的阻值或C的容量值,使振荡信号的频率为50Hz。
元器件选择
R1~R5选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP选用可锁定电位器,或调好振荡频率后用固定电阻器代替。
C选用独石电容器或涤纶电容器。
VD选用1N4007型硅整流二极管。
VS1~VS3均选用1W硅稳压二极管。
VL选用Φ5mm的普通发光二极管。
VF1和VF2均选用V75A型大功率VM0S场效应晶体管(为增大输出功率,可用多只VM0S场效应晶体管并联使用)。
IC选用CD4069型六非门集成电路。
T选用150~300W、220V/12V×2(带抽头)电源变压器。
S选用触头电流为10A的电源开关。
GB选用12V、120~150A·h的铅酸蓄电池。
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