温控电路中的温度控制器电路图二

接线图 2023年10月21日 10:55 214 admin

　　本例介绍的温度控制器，温度控制范围为5～95℃，可广泛应用于工业生产及科研方面的温度自动控制。

　　电路王作原理

　　该温度控制器电路由电源电路、温度检测电路、基准电压电路、温度指示电路、电压比较放大电路和控制执行电路组成，如图所不。

温控电路中的温度控制器电路图二第1张

　　图温度控制器电路

　　电源电路由电源开关S、电源变压器T、整流桥堆UR、滤波电容器C1、C2、三端稳压集成电路IC2、限流电阻器RIO和电源指示发光二极管VL1组成。

　　温度检测电路有晶体管式温度传感器V1、电阻器R1、电容器C3和运算放大器集成电路IC1（N1～N4）内部的N1组成。

　　基准电压电路由电阻器R4、R5、R8、电位器RP1～RP3、稳压二极管VS和IC1内部的N4组成。

　　温度指示电路由电阻器R2、R3、IC1内部的N2和电压表N组成。

　　电压比较放大电路由IC1内部的N3和电阻器R6、R7组成。

　　控制执行电路由电阻器R9、晶体管V2、继电器K、交流接触器KM、二极管VD和工作指示发光二极管VL2组成。

　　接通电源开关S，交流220V电压经T降压、UR整流、C1滤波及IC2稳压后，为IC1、基准电压电路和控制执行电路提供＋9V工作电压，同时将VL1点亮。

　　＋9V电压经R5限流、vs稳压后产生＋6V左右的基准电压，一路经R4、RP1分压后为N2的正相输人端提供基准电压；另一路先经M缓冲放大，然后经RP2、RP3分压后，再经R8加至N4的正相输入端，作为N3的基准电压。

　　VI发射结的电压降（Vbe）随着环境温度的变化而变化。温度上升时，V1的导通内阻变小，发射结的电压降也减小，使N1的输出电压降低，N2的输出电压升高，N4的输出电压则下降。

　　PV用来指示V1检测的温度值（灵敏度为10mV／℃），若PV指示电压值为250mV，则表明温度为25℃。

　　RP3用来设定控制温度值；RP2用来设定RP3的最大输出电压（调试时，调节RP2的阻值，使RP3的最大输出电压为tV）：RP1用来设定N2正相输入端的基准电压（调试时，调节RP1的阻值，使N2的正相输人端电压为530mV）。

　　在VI检测到环境温度低于RP3的设定温度时，N3输出低电平（约0.65V），使V2饱和导通，K和KM通电吸合，VL2点亮，电热器EH通电工作，使环境温度缓慢上升。当温度升高至设定温度时，N3又输出低电平（约7.7V），使V2截止，K和KM释放，VL2熄灭，电电热器EH断电而停止加热。随后环境温度又缓慢下降，当温度降至RP3的设定温度时，K和KM又吸合，EH又通电加热。如此周而复始，使受控场所的温度恒定在设定温度附近。

　　元器件选择

　　R1～RIO均选用1／4W金属膜电阻器或碳膜电阻器，R2和R3的精度应为为±1％。

　　RP1～RP3均选用线性电位器。

　　C1和C2均选用耐压值为25V的铝电解电容器；C3选用独石电容器或涤纶电容器。

　　YD选用1N4001或1N4007型硅整流二极管。

　　VS选用1W、6V左右的硅稳压二极管，例如1N4735等型号。

　　VL1和VL2均选用φ5mm的发光二极管，VL1为红色，VL2为绿色。

　　UR选用1A、50V的整流桥堆，也可用4只1N4001桥接后代替。

　　V1选用MTS-102型晶体管式温度传感器（也可用负温度系数的热敏电阻器代替）；V2选用58550或3CG8550型硅PNP晶体管。

　　IC1选用LM324型四运放集成电路；IC2选用7809型三端稳压集成电路。

　　K选用JRX-13F型9V直流继电器。

　　KM选用线圈电压为220V的交流接触器，其触头电流容量应根据EH的实际功率来选择。