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综合电路中的低损耗吸收电路图

接线图 2023年10月21日 11:26 148 admin

  由图1(b)可知,为了使电容q放电时流过开关管V的电流小,电阻R1应选的大一些,但是为了在V导通占空比小时q都能放电干净,电阻R1应选的小一些。为了解决这个矛盾R1只能取折中值的办法。而且PR1、PV都是有相当可观的损耗。

综合电路中的低损耗吸收电路图  第1张

  图1 开关管过电压的抑制方法

  图2所示为低损耗的吸收电路。其工作原理如下:在开关管V导通时有两部分电流流过V,一部分为Ui作用下经过P,绕组的电流Ip;另一部分为+12V辅助电源经过凡、玑的电流Ig。当开关管V转为关断时,变压器初级漏电感引起集电极电压升高,初级部分电流流进吸收二极管D5(连续流过D5的反向恢复电流),经过战注入辅助电源。D5进入反向恢复阻断时间,同时V继续趋向关断,它的集电极电流下降到零。V在+12V辅助电吸收二极管战的反向恢复时间必须比开关晶体管V的关断时间长一些。一般中等速度的软恢复二极管(如Philips BYX30SN)就可以用在这种场合。

综合电路中的低损耗吸收电路图  第2张

  图2 低损耗的吸收电路

  在关断V时,流过D5的反向恢复电流也存储在电容饧中,当V再次导通时,由于V集电极电压迅速下降,D5会流过很小的正向电流,这个电流由C2提供。因此,整个吸收电路的能量损耗很小。当玑正向导通时成了正向偏置,为下一次的V关断形成吸收过程做好准备。

  



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