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开关电路中的金属接近开关
接线图
2023年10月21日 13:43 133
admin
金属接近开关是工业领域广泛使用的一种自动控制电子开关，它在有金属物体靠近检测探头时，电子开关接通;当金属物体远离检测探头时，电子开关关闭。
电路工作原理
该金属接近开关电路由高频振荡器电路、倍压整流电路和电子开关电路组成，如图8-131所示。
高频振荡器电路由高频变压器T、电位器RPl、电阻器Rl-R3、电容器Cl-C3和晶体管Vl组成。
倍压整流电路由二极管VDl与VD2、电容器C4和电阻器R4组成。
电子开关电路由晶体管V2与V3、电位器Rm、光耦合器VLC和电阻器R5、R6组成。
高频变压器T作为检测探头对金属物体进行检测。在金属物体未靠近检测探头时，高频振荡器振荡工作，其输出的振荡信号经倍压整流电路倍压整流后，产生一直流电压使V2饱和导通，V3和VLC截止，电子开关处于关闭状态。当有金属物体靠近检测探头时，将产生涡流损耗，使高频振荡器停振，V2因基极的百流电压消失而截止，V3导通，VLC内部的发光二极管点亮，当光敏晶体管导通，电子开关处于接通状态。
调节RPl和RP2的阻值，可改变探测距离及探测灵敏度。
元器件选择
Rl-R6选用1/4W的金属膜电阻器或碳膜电阻器。
RP1选用有机实心电位器或可变电阻器;RP2选用合成碳膜电位器或可变电阻器。
Cl、C2和C4均选用独石电容器;C3选用高频瓷介电容器。
VDl和VD2均选用1N4148型硅开关二极管。
Vl和V2选用S9013或3DG6型硅NPN晶体管;V3选用S8050型硅NPN晶体管。
VLC选用4N25或4N26型光辆合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包线绕制:Wl绕25匝，W2绕11匝，W3绕60匝。
电路工作原理
该金属接近开关电路由高频振荡器电路、倍压整流电路和电子开关电路组成，如图8-131所示。
高频振荡器电路由高频变压器T、电位器RPl、电阻器Rl-R3、电容器Cl-C3和晶体管Vl组成。
倍压整流电路由二极管VDl与VD2、电容器C4和电阻器R4组成。
电子开关电路由晶体管V2与V3、电位器Rm、光耦合器VLC和电阻器R5、R6组成。
高频变压器T作为检测探头对金属物体进行检测。在金属物体未靠近检测探头时，高频振荡器振荡工作，其输出的振荡信号经倍压整流电路倍压整流后，产生一直流电压使V2饱和导通，V3和VLC截止，电子开关处于关闭状态。当有金属物体靠近检测探头时，将产生涡流损耗，使高频振荡器停振，V2因基极的百流电压消失而截止，V3导通，VLC内部的发光二极管点亮，当光敏晶体管导通，电子开关处于接通状态。
调节RPl和RP2的阻值，可改变探测距离及探测灵敏度。
元器件选择
Rl-R6选用1/4W的金属膜电阻器或碳膜电阻器。
RP1选用有机实心电位器或可变电阻器;RP2选用合成碳膜电位器或可变电阻器。
Cl、C2和C4均选用独石电容器;C3选用高频瓷介电容器。
VDl和VD2均选用1N4148型硅开关二极管。
Vl和V2选用S9013或3DG6型硅NPN晶体管;V3选用S8050型硅NPN晶体管。
VLC选用4N25或4N26型光辆合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包线绕制:Wl绕25匝，W2绕11匝，W3绕60匝。
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