6 通道射频遥控器采用 CC2500 射频收发器模块和 microchip 的 PIC16F1847 微控制器设计。发射器配有 6 个轻触开关、4 个...
负氧离子发生器 六
接线图
2023年10月21日 13:47 182
admin
电路工作原理
该负氧离子发生器电路由电源电路、多谐振荡器和高压电路组成，如图9-118所示。
电源电路由电容器Cl、C2、电阻器Rl、稳压二极管VS和整流二极管VDl组成。
多谐振荡器由晶体管Vl、V2、电阻器R2-R5和电容器C3、C4组成。
高压电路由电容器C5、电阻器R6、电位器RP、晶体管V3、V4、高压变压器T、高压整流二极管VD2和高压放电电极a、b组成。
交流二极管经Cl降压、VS稳压、VDl整流及C2滤波后，为多谐振荡器和高压电路提供l2V直流电压。
多谐振荡器通电后振荡工作，产生高频振荡信号，通过R6和RP加至高压变压器T上，使V3和V4交替导通，在T的W5绕组上产生数千伏的脉冲高压，此脉冲高压经VD2整流后产生直流高压加至放电电极上，使空气电离而产生负氧离子。
元器件选择
Rl-R6选用1/4W的金属膜电阻器或碳膜电阻器。
RP选用小型合成碳膜电位器或可变电阻器。
Cl选用耐压值为450V的CBB电容器;C2-C4均选用耐压值为25V的铝电解电容器;C5选用涤纶电容器或CBB电容器。
VDl选用1N4007型硅整流二极管;VD2选用2DGLl4kV的高压硅整流二极管。
Vl和V2均选用S9013型硅NPN晶体管;V3和V4均选用DDO3型高反压硅NPN晶体管。
VS选用lW、l1-l2V的硅稳压二极管。
T可使用黑白电视机的分立式行输出变压器改制:Wl和W2绕组用φ0.35mm的漆包线双线并绕5匝，线圈的头尾相接作为中心抽头;W3和W4绕组用φ0.35mm的漆包线双线并绕25-30匝，线圈的头尾相接作为中心抽头;WS绕组使用原行输出变压器的高压包。
放电电极a和b使用一块敷铜板和数根大头针制作。
该负氧离子发生器电路由电源电路、多谐振荡器和高压电路组成，如图9-118所示。
电源电路由电容器Cl、C2、电阻器Rl、稳压二极管VS和整流二极管VDl组成。
多谐振荡器由晶体管Vl、V2、电阻器R2-R5和电容器C3、C4组成。
高压电路由电容器C5、电阻器R6、电位器RP、晶体管V3、V4、高压变压器T、高压整流二极管VD2和高压放电电极a、b组成。
交流二极管经Cl降压、VS稳压、VDl整流及C2滤波后，为多谐振荡器和高压电路提供l2V直流电压。
多谐振荡器通电后振荡工作，产生高频振荡信号，通过R6和RP加至高压变压器T上，使V3和V4交替导通，在T的W5绕组上产生数千伏的脉冲高压，此脉冲高压经VD2整流后产生直流高压加至放电电极上，使空气电离而产生负氧离子。
元器件选择
Rl-R6选用1/4W的金属膜电阻器或碳膜电阻器。
RP选用小型合成碳膜电位器或可变电阻器。
Cl选用耐压值为450V的CBB电容器;C2-C4均选用耐压值为25V的铝电解电容器;C5选用涤纶电容器或CBB电容器。
VDl选用1N4007型硅整流二极管;VD2选用2DGLl4kV的高压硅整流二极管。
Vl和V2均选用S9013型硅NPN晶体管;V3和V4均选用DDO3型高反压硅NPN晶体管。
VS选用lW、l1-l2V的硅稳压二极管。
T可使用黑白电视机的分立式行输出变压器改制:Wl和W2绕组用φ0.35mm的漆包线双线并绕5匝，线圈的头尾相接作为中心抽头;W3和W4绕组用φ0.35mm的漆包线双线并绕25-30匝，线圈的头尾相接作为中心抽头;WS绕组使用原行输出变压器的高压包。
放电电极a和b使用一块敷铜板和数根大头针制作。
相关文章
发表评论