6 通道射频遥控器采用 CC2500 射频收发器模块和 microchip 的 PIC16F1847 微控制器设计。发射器配有 6 个轻触开关、4 个...
电磁治疗仪 二
接线图
2023年10月21日 13:50 194
admin
电路工作原理
该电磁治疗仪电路由超低频振荡器、磁脉冲产生电路和电源电路组成，如图9-14所示。
超低频振荡器电路由时基集成电路IC、电阻器Rl、R2、电位器RP、电容器Cl、C2和二极管VDl组成。
磁脉冲产生电路由电阻器R3、晶体管V二极管VD2和电磁线圈L组成。
电源电路由电源开关S、电池GB、限流电阻器R4和电源指示发光二极管VL组成。
接通电源开关S，GB的6V直流电压在供给超低频振荡器和磁脉冲产生电路的同时，还经R4限流降压后将VLA亮。
超低频振荡器通电后振荡工作，从IC的3脚输出频率可调的超低频振荡信号，使V间歇导通。在IC的3脚输出高电平时，V饱和导通，L因有电流流过而产生磁场;在lC的3脚输出低电平时，V截止，「中存储的电能经VD2快速泄放。这样，随着V间歇地导通，L即可产生脉冲磁场。
调节RP的阻值，可改变超低频振荡器的振荡频率，即改变此脉冲的频率。
元器件选择
Rl-R4选用1/4W的碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP选用小型有机实心电位器。
Cl和C3选用耐压值为16V的铝电解电容器;C2选用独石电容器或涤纶电容器。
VDl选用1N4148型硅开关二极管;VD2选用1N4007型硅整流二极管。
V选用3DK4型硅NPN晶体管。
lC选用NE555型时基集成电路。
S选用触头电流容量大于2A的小型单极开关。
GB选用6V的小容量免维护蓄电池，也可使用小型直流稳压电源。
L使用φO.lmm左右的漆包线在φOmmx3Omm的磁棒上绕4200匝左右后制成。
来源:university
该电磁治疗仪电路由超低频振荡器、磁脉冲产生电路和电源电路组成，如图9-14所示。
超低频振荡器电路由时基集成电路IC、电阻器Rl、R2、电位器RP、电容器Cl、C2和二极管VDl组成。
磁脉冲产生电路由电阻器R3、晶体管V二极管VD2和电磁线圈L组成。
电源电路由电源开关S、电池GB、限流电阻器R4和电源指示发光二极管VL组成。
接通电源开关S，GB的6V直流电压在供给超低频振荡器和磁脉冲产生电路的同时，还经R4限流降压后将VLA亮。
超低频振荡器通电后振荡工作，从IC的3脚输出频率可调的超低频振荡信号，使V间歇导通。在IC的3脚输出高电平时，V饱和导通，L因有电流流过而产生磁场;在lC的3脚输出低电平时，V截止，「中存储的电能经VD2快速泄放。这样，随着V间歇地导通，L即可产生脉冲磁场。
调节RP的阻值，可改变超低频振荡器的振荡频率，即改变此脉冲的频率。
元器件选择
Rl-R4选用1/4W的碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP选用小型有机实心电位器。
Cl和C3选用耐压值为16V的铝电解电容器;C2选用独石电容器或涤纶电容器。
VDl选用1N4148型硅开关二极管;VD2选用1N4007型硅整流二极管。
V选用3DK4型硅NPN晶体管。
lC选用NE555型时基集成电路。
S选用触头电流容量大于2A的小型单极开关。
GB选用6V的小容量免维护蓄电池，也可使用小型直流稳压电源。
L使用φO.lmm左右的漆包线在φOmmx3Omm的磁棒上绕4200匝左右后制成。
来源:university
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