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控制电路中的闪烁警示灯 四
接线图
2023年10月21日 13:51 268
admin
在道路施工、建筑施工等场合，常要用到闪烁发光的警示灯。传统警示灯的灯泡在闪烁时会受到较大的电流冲击，这影响了灯泡的使用寿命。
本例介绍一种长寿命闪烁警示灯电路，其工作时灯泡只是发光强弱变化，而不会产生冲击电流，使用者可免去频繁更换灯泡之苦。
电路工作原理
该闪烁警示灯电路由电源电路、超低频振荡器、光控电路和调光控制电路组成，如图l-205所示。
电源电路由降压电容器Cl、电阻器R5、整流二极管VDl-VD4、滤波电容器C2和稳压二极管VS组成。
超低频振荡器由时基集成电路IC和电阻器Rl、R2、电容器C3等组成。
光控电路由光敏晶体管Vl、晶体管V2、电阻器R3、R4和lC内电路组成。
调光控制电路由二极管VD5、电容器C4、光电穗合器VLC、电阻器R6、R7、双向晶闸管VT和警示灯HL组成。
交流220V电压经Cl降压、VDl-VD4整流、C2滤波及VS稳压后，产生l2V直流电压，供给超低频振荡器电路。
超低频振荡器电路振荡工作后，从lC的3脚输出IHz左右的超低频方波信号。当IC的3脚输出的方波信号为正脉冲时，VD5导通，VLC内部的发光二极管发光，光控晶闸管导通，并触发双向晶闸管VT导通，警示灯HL点亮。
当lC的3脚输出的方波信号变为负脉冲时，VD5截止，电容器C4上充得的电压经R6对VLC内部的发光二极管放电，使其发光由强变弱，光控晶闸管和双向晶闸管VT的导通量也由大变小，警示灯HL由亮变暗。
当HL尚未熄灭时，超低频振荡器下一个周期的正半波信号又到来，使VD5导通，HL又由暗变亮。如此循环往复，警示灯HL工作在 "亮+暗+亮+暗"的闪烁状态。
在白天，Vl受光照射而呈低阻状态，使V2导通，IC因4脚变为低电平 (0.7V左石)而不工作，3脚元输出，VLC和VT均截止，HL不亮。夜晚，Vl呈高阻状态，V2截止，IC正常工作。
调整电阻器R2的阻值，可改变超低频振荡器的工作频率，从而改变警示灯HL的闪光频率。
适当改变电容器C4的电容量，使HL在VD5截止后不致过暗，又要有明显的闪烁感。
元器件选择
Rl-R4和R6、R7选用1/4W的金属膜电阻器或碳膜电阻器;R5选用1/2W的金属膜电阻器。
Cl选用耐压值为630V的涤纶电容器或CBB无感电容器;C2-C4均选用耐压值为16V的铝电解电容器。
VDl-VD5均选用1N4007型硅整流二极管。
Vl选用3DU系列的光敏晶体管;V2选用S9013型硅NPN晶体管。
VS选用1N4742(1W、l2V)型硅稳压二极管。
VT选用TLC336A型 (HL为lOOW时)双向晶呵管，若HL的功率增大,则VT的电流容量也应相应增大。
IC选用NE555或CD7555型时基集成电路。
VLC选用MOC302O或MOC302l、MOC3041等型号的光耦合器。
本例介绍一种长寿命闪烁警示灯电路，其工作时灯泡只是发光强弱变化，而不会产生冲击电流，使用者可免去频繁更换灯泡之苦。
电路工作原理
该闪烁警示灯电路由电源电路、超低频振荡器、光控电路和调光控制电路组成，如图l-205所示。
电源电路由降压电容器Cl、电阻器R5、整流二极管VDl-VD4、滤波电容器C2和稳压二极管VS组成。
超低频振荡器由时基集成电路IC和电阻器Rl、R2、电容器C3等组成。
光控电路由光敏晶体管Vl、晶体管V2、电阻器R3、R4和lC内电路组成。
调光控制电路由二极管VD5、电容器C4、光电穗合器VLC、电阻器R6、R7、双向晶闸管VT和警示灯HL组成。
交流220V电压经Cl降压、VDl-VD4整流、C2滤波及VS稳压后，产生l2V直流电压，供给超低频振荡器电路。
超低频振荡器电路振荡工作后，从lC的3脚输出IHz左右的超低频方波信号。当IC的3脚输出的方波信号为正脉冲时，VD5导通，VLC内部的发光二极管发光，光控晶闸管导通，并触发双向晶闸管VT导通，警示灯HL点亮。
当lC的3脚输出的方波信号变为负脉冲时，VD5截止，电容器C4上充得的电压经R6对VLC内部的发光二极管放电，使其发光由强变弱，光控晶闸管和双向晶闸管VT的导通量也由大变小，警示灯HL由亮变暗。
当HL尚未熄灭时，超低频振荡器下一个周期的正半波信号又到来，使VD5导通，HL又由暗变亮。如此循环往复，警示灯HL工作在 "亮+暗+亮+暗"的闪烁状态。
在白天，Vl受光照射而呈低阻状态，使V2导通，IC因4脚变为低电平 (0.7V左石)而不工作，3脚元输出，VLC和VT均截止，HL不亮。夜晚，Vl呈高阻状态，V2截止，IC正常工作。
调整电阻器R2的阻值，可改变超低频振荡器的工作频率，从而改变警示灯HL的闪光频率。
适当改变电容器C4的电容量，使HL在VD5截止后不致过暗，又要有明显的闪烁感。
元器件选择
Rl-R4和R6、R7选用1/4W的金属膜电阻器或碳膜电阻器;R5选用1/2W的金属膜电阻器。
Cl选用耐压值为630V的涤纶电容器或CBB无感电容器;C2-C4均选用耐压值为16V的铝电解电容器。
VDl-VD5均选用1N4007型硅整流二极管。
Vl选用3DU系列的光敏晶体管;V2选用S9013型硅NPN晶体管。
VS选用1N4742(1W、l2V)型硅稳压二极管。
VT选用TLC336A型 (HL为lOOW时)双向晶呵管，若HL的功率增大,则VT的电流容量也应相应增大。
IC选用NE555或CD7555型时基集成电路。
VLC选用MOC302O或MOC302l、MOC3041等型号的光耦合器。
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