晶体管和场效应管组成的高增益放大器

接线图 2023年12月31日 18:22 196 admin

在普通的晶体管RC耦台放大器中，即使本缀选用了比较高的集电极负载电阻Rc，与后一级电路连接后，由于后一级电路的输入阻抗较低，仍不能得到很高的等效交流负载电阻。因此，不可能得到很高的电压增益Kv。如果将晶体管和场效应管组合，则能克服这种缺点，获得较高的电压增益。

图中，VTi采用低噪声超卢晶体管，它的FE>1000，可获得较低的噪声和较高的输入阻抗。它工作在小电流状态，其电流约为40A，故Rc1可取300Ω的高阻值。由于VT2为场效应管，其输入阻抗很高，不会降低VTi的等效负载电阻。VT3为射极跟随器，用来降低放大器的输出阻抗，并提高负载能力。由VTi和VT2组成的两级放大器具有很高的开环电压增益。电路中Rp为直流负反馈调节电位器，RF及与其串联的33μF电容组成交流负反馈。放大器具有稳定的增益和直流工作状态。其总增益Kv= (RF+ RE)，改变RF可以调节Kv。调节Rp使VT3的射极电压为10V，放大器即为正常工作状态。电路的稳定性相当好，不用接高频补偿电容即能工作在5～500kHz的频率范围内。不过，它的输入信号应当很小。

晶体管和场效应管组成的高增益放大器第1张