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单位功率因数 PWM 整流器
接线图
2024年01月26日 10:48 174
admin
除了获得大部分正弦电源电流形状（高功率因数和低 THD）之外。在三相单向交流到直流功率转换领域，三相/开关/电平 PWM 整流器系统可以理想地满足这些要求。电源电路的基本结构如图1所示。该系统的优点特别是：
电源电流的纯正弦波形（具有开关频率的谐波除外）与电源电压同相（即电阻性基本电源行为、高功率因数）； 功率半导体上的阻断电压应力仅由输出电压的一半决定（对于在欧洲低压电源中运行的系统，输出电压在 Uo = 650…750 V 范围内）应用具有阻断电压的功率 MOSFET 的可能性Udss = 500 V 的能力，因此具有低导通电阻和低导通损耗；此外，由于阀的低开关电压而导致低开关损耗，并且可以将不受控阀实现为快速恢复外延二极管最大阻断电压Urrm = 600 V；不使用功率MOSFET的寄生本征续流二极管（其特点是高反向恢复时间）——可以实现系统的高开关频率和高功率密度。 每相只有一个截止阀（控制工作量小，运行可靠性高）；由于电路结构，不会出现功率晶体管控制错误时输出电压短路的情况） 由于桥臂的三电平特性，市电侧串联电感的额定功率较低（与传统的两电平电路相比，在谐波电平相等的情况下，电感值可降低约1/3）电源电流和相同的开关频率）；这导致系统功率密度的增加和电源控制的更高动态
电源电流的纯正弦波形（具有开关频率的谐波除外）与电源电压同相（即电阻性基本电源行为、高功率因数）； 功率半导体上的阻断电压应力仅由输出电压的一半决定（对于在欧洲低压电源中运行的系统，输出电压在 Uo = 650…750 V 范围内）应用具有阻断电压的功率 MOSFET 的可能性Udss = 500 V 的能力，因此具有低导通电阻和低导通损耗；此外，由于阀的低开关电压而导致低开关损耗，并且可以将不受控阀实现为快速恢复外延二极管最大阻断电压Urrm = 600 V；不使用功率MOSFET的寄生本征续流二极管（其特点是高反向恢复时间）——可以实现系统的高开关频率和高功率密度。 每相只有一个截止阀（控制工作量小，运行可靠性高）；由于电路结构，不会出现功率晶体管控制错误时输出电压短路的情况） 由于桥臂的三电平特性，市电侧串联电感的额定功率较低（与传统的两电平电路相比，在谐波电平相等的情况下，电感值可降低约1/3）电源电流和相同的开关频率）；这导致系统功率密度的增加和电源控制的更高动态
图 1 奥地利维也纳技术大学开发的电路桥臂的功率半导体组合
然而，如果考虑使用分立元件来实现，则该电路显示出相对较高的组装工作量。如果功率半导体芯片包含在功率模块中，则可以在很大程度上避免这种情况。相关文章
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