M57957L/M57958L内部结构和工作原理电路
如图为M57957L/M57958L内部结构和工作原理电路图。M57957L与M57958L均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装。M57957L与M57958L的内部集成有光耦、接口及功放单元。其工作原理可简述为：来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通，接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出，驱动功率IGBT模块导通。在驱动信号为低电平时光耦截止，此时接口电路输出亦为低电平，功放输出级PNP晶体管导通，给被驱动的功率IGBT栅?射极间施加以反向电压，使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。
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