首页 接线图文章正文

IGBT的基本应用

接线图 2024年01月26日 11:06 217 admin

IGBT的基本应用  第1张

  IGBT的伏安特性如图1-33a所示。与GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制参数是栅源电压Uos而不是基极电流
  图1-33b表示出IGBT的转移特性,它与VMOS管的转移特性相同。在大部分漏极电流范围内,I与U呈线性关系。只要当栅源电压接近阀值电压U时才呈非线性关系,此时漏极电流相当小,当栅源电压小于U时,IGBT处于截止状态。
  IGBT的静态开关特性,如图1-33c所示,当栅源电压大于阀值电压时,IGBT即导通。
  与VMOS器件相比,IGBT的导通压降要小得多,这是因为IGBT众多N-漂移存在电导调制效应
  由于IGBT是一种兼有GTR和VMOS特点的复合器件,所以它的许多参数的定义与上述两种关注基本相同。



  
版权与免责声明

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

标签: IGBT MOS 开关

发表评论

接线图网Copyright Your WebSite.Some Rights Reserved. 备案号:桂ICP备2022002688号-2 接线图网版权所有 联系作者QQ:360888349