IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)是绝缘栅双极型晶体管的简称,是一种集功率型场效应管和电力晶体管的优点于一...
IGBT的基本应用
接线图
2024年01月26日 11:06 217
admin
IGBT的伏安特性如图1-33a所示。与GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制参数是栅源电压Uos而不是基极电流。
图1-33b表示出IGBT的转移特性,它与VMOS管的转移特性相同。在大部分漏极电流范围内,I与U呈线性关系。只要当栅源电压接近阀值电压U时才呈非线性关系,此时漏极电流相当小,当栅源电压小于U时,IGBT处于截止状态。
IGBT的静态开关特性,如图1-33c所示,当栅源电压大于阀值电压时,IGBT即导通。
与VMOS器件相比,IGBT的导通压降要小得多,这是因为IGBT众多N-漂移存在电导调制效应
由于IGBT是一种兼有GTR和VMOS特点的复合器件,所以它的许多参数的定义与上述两种关注基本相同。
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