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通过降低IGBT栅极
接线图
2024年01月26日 11:08 180
admin
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar TransiSTor-IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor-GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。
电力MOSFET器件是单极型(N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电)、电压控制型开关器件;因此其通、断驱动控制功率很小,开关速度快;但通态降压大,难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型(其中,电子、空穴两种多数载流子都参与导电)、电流控制型开关器件;因此其通-断控制驱动功率大,开关速度不够快;但通态压降低,可制成较高电压和较大电流的开关器件。
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