PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor ，形成P-I-N结构而得名，如下图所示：如上图所示，处于...
开关 (PWM) 电磁驱动器电路
接线图
2024年01月28日 08:53 206
admin
我想每个设计师都有真正灵感闪现的电路。这就是其中之一，如果有我觉得我应该申请专利的电路，这肯定是其中之一！它比其 14 个组件所暗示的更复杂。
在焊接行业中，一种常见的焊接电源是“滴管”。它们以高开路电压开始，可能高达 125 伏，负载时电压急剧下降，可能降至 20 或 24 伏。要求是从这样的下降器操作 12v 继电器。这是结果电路。
用作电流源
这个相同的电路也非常成功地用作电流源，以从同一下降器提供低压控制电路。环形电感器与串联连接的负载一起使用，连接续流二极管，以便驱动和续流电流都流过负载。负载电压由齐纳二极管调节。
我已经以多种方式使用了这个电路，因此 4QD 生产相对较小的数量（比如 25-50）可能是经济的。
它通过 PWM（脉冲宽度调制）运行 - 好吧，实际上是通过 PFM - 脉冲频率调制。
上电时，C1 通过 D1 和 R1 充电。R2 将导通，将射极跟随器 Tr2 的基极拉高，并将栅极电压馈送到 MOSFET。Tr4。显然，上电期间模拟区域中的电路，但由于这是用于高压电源，因此上电非常快。
当 Tr4 导通时，电流通过 R5 和螺线管线圈。电流逐渐增加，直到 R5 两端的电压高到足以导通 Tr1。
Tr1 和 Tr3 是互补反馈对，因此当 Tr1 导通时，它们在速动开关中相互导通，MOSFET 栅极被硬关断。
螺线管线圈中的电流（通过电感）被迫保持流动。它通过 D3 和 R4 实现。
但是流入 Tr1 基极的电流是通过 R4 和 Tr3 的电流之和。R2 的电流流过 Tr1，因此没有电流流过 Tr2，因此 Tr3 电流（在电池放电后）仅是流过 R3 的电流。因此，通过 R5 的电流必须下降这个量，然后才不足以保持 Tr1 导通。该电流是由流过 R5 的感测继电器电流引起的，因此 R3 与 R4 的比率设置了迟滞。
当没有足够的电流来保持 Tr1 导通时，它会关闭，栅极会再次被 R5 和 Tr2 拉高，从而导通 MOSFET。它猛击继电器线圈上的电源电压，建立电流。显然，电流建立的速率将取决于电源电压，因此在低压下，MOSFET 导通时间较长，在高压下导通时间较短。
MOSFET 关闭的时间取决于继电器线圈并且是恒定的，而开启时间会变化，从而改变频率。
需要选择 R5，以便检测所需的电流。它应该在所需电流下降低一个 Vbe（约 0.6v）。
需要选择具有足够电压和电流处理能力的 MOSFET，当然您可能需要对 MOSFET 进行散热。
D3 应该是一个高速二极管，其额定电压至少等于电路将遇到的最高工作电压。
这些东西都是操作条件相关的，所以我只好交给你了！
该电路在生产中被证明是非常可靠的。显然，您需要观察电压尖峰和电流额定值。当 MOSFET 进入线性模式时，您也不应该尝试在低电压下操作它，更不用说螺线管电压加 15v。这不会立即损坏 MOSFET，但它会变热。因此，最好不要通过连接和断开电源来切换继电器，而是通过激活和停用控制器来切换继电器。稍后可以添加执行此操作的方法。
在焊接行业中，一种常见的焊接电源是“滴管”。它们以高开路电压开始，可能高达 125 伏，负载时电压急剧下降，可能降至 20 或 24 伏。要求是从这样的下降器操作 12v 继电器。这是结果电路。
用作电流源
这个相同的电路也非常成功地用作电流源，以从同一下降器提供低压控制电路。环形电感器与串联连接的负载一起使用，连接续流二极管，以便驱动和续流电流都流过负载。负载电压由齐纳二极管调节。
我已经以多种方式使用了这个电路，因此 4QD 生产相对较小的数量（比如 25-50）可能是经济的。
它通过 PWM（脉冲宽度调制）运行 - 好吧，实际上是通过 PFM - 脉冲频率调制。上电时，C1 通过 D1 和 R1 充电。R2 将导通，将射极跟随器 Tr2 的基极拉高，并将栅极电压馈送到 MOSFET。Tr4。显然，上电期间模拟区域中的电路，但由于这是用于高压电源，因此上电非常快。
当 Tr4 导通时，电流通过 R5 和螺线管线圈。电流逐渐增加，直到 R5 两端的电压高到足以导通 Tr1。
Tr1 和 Tr3 是互补反馈对，因此当 Tr1 导通时，它们在速动开关中相互导通，MOSFET 栅极被硬关断。
螺线管线圈中的电流（通过电感）被迫保持流动。它通过 D3 和 R4 实现。
但是流入 Tr1 基极的电流是通过 R4 和 Tr3 的电流之和。R2 的电流流过 Tr1，因此没有电流流过 Tr2，因此 Tr3 电流（在电池放电后）仅是流过 R3 的电流。因此，通过 R5 的电流必须下降这个量，然后才不足以保持 Tr1 导通。该电流是由流过 R5 的感测继电器电流引起的，因此 R3 与 R4 的比率设置了迟滞。
当没有足够的电流来保持 Tr1 导通时，它会关闭，栅极会再次被 R5 和 Tr2 拉高，从而导通 MOSFET。它猛击继电器线圈上的电源电压，建立电流。显然，电流建立的速率将取决于电源电压，因此在低压下，MOSFET 导通时间较长，在高压下导通时间较短。
MOSFET 关闭的时间取决于继电器线圈并且是恒定的，而开启时间会变化，从而改变频率。
需要选择 R5，以便检测所需的电流。它应该在所需电流下降低一个 Vbe（约 0.6v）。
需要选择具有足够电压和电流处理能力的 MOSFET，当然您可能需要对 MOSFET 进行散热。
D3 应该是一个高速二极管，其额定电压至少等于电路将遇到的最高工作电压。
这些东西都是操作条件相关的，所以我只好交给你了！
该电路在生产中被证明是非常可靠的。显然，您需要观察电压尖峰和电流额定值。当 MOSFET 进入线性模式时，您也不应该尝试在低电压下操作它，更不用说螺线管电压加 15v。这不会立即损坏 MOSFET，但它会变热。因此，最好不要通过连接和断开电源来切换继电器，而是通过激活和停用控制器来切换继电器。稍后可以添加执行此操作的方法。
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