场效应晶体管放大器是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应用在电子电路中,特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型...
记忆增强器 二
接线图
2024年02月20日 20:54 210
admin
本例介绍的记忆增强器,实际上是一种 "排扰朗读器",它先将使用者的声音通过话筒转换成电信号,再经多级音频放大,通过耳机将放大后的声音信号播放出来,使使用者能清晰地听到本人的发音,集中注意力,这样对增强记忆力起辅助作用。
电路工作原理
该记忆力增强器电路由话筒 (传声器)BM、三级音频放大电路和耳机等组成,如图9-76所示。
第l级音频放大电路由晶体管Vl和电阻器Rl-R3、电容器Cl、C2组成;第2级音频放大电路由晶体管V2和电阻器R4、R5、电容器C2、C5组成;第3级音频放大电路由晶体管V3、V4、电阻器R7-R9、电位器RP等组成。
声音信号经话筒BM转换为电信号后,经电容器Cl耦合至Vl的基极 (b极),经Vl缓冲放大后的信号从V1的集电极 (c极)输出,经电容器C2耦合至V2的基极,V2放大后的音频信号经C5和RP1加至V3的基极,经V3和V4复合放大后,驱动耳机BE发出洪亮的声音。
调节RP的阻值,可改变耳机放音音量的大小。
元器件选择
Rl-R5、R7-R9均选用1/8W碳膜电阻器;R6选用1/4W碳膜电阻器。
RP选用带开关的小型电位器。
Cl-C5均选用耐压值为1OV的铝电解电容器。
Vl-V3均选用3AX3l型锗PNP晶体管;V4选用3AX81型锗PNP晶体管。
BM选用录音机用驻极体话筒。
BE可用两个8Ω耳塞串联起来使用,也可将普通头戴式立体声耳机的左、右声道串联后使用。
工作电流调整
电路安装完毕后,应调整各级放大管集电极的工作电流。先在Vl的集电极回路中串人电流表,然后调整电阻器R7,使Vl的集电极电流为0.4-0.6mA。
在V2的集电极回路中串人电流表,调整R4的阻值,使V2的集电极电流为0.6-0.8mA。
将耳机与电路断开,在V3、V4的集电极与电源负极之间串接电流表后,调整R7的阻值,使复合管 (V3与V4)的集电极工作电流为2.4-3mA。
电路工作原理
该记忆力增强器电路由话筒 (传声器)BM、三级音频放大电路和耳机等组成,如图9-76所示。
第l级音频放大电路由晶体管Vl和电阻器Rl-R3、电容器Cl、C2组成;第2级音频放大电路由晶体管V2和电阻器R4、R5、电容器C2、C5组成;第3级音频放大电路由晶体管V3、V4、电阻器R7-R9、电位器RP等组成。
声音信号经话筒BM转换为电信号后,经电容器Cl耦合至Vl的基极 (b极),经Vl缓冲放大后的信号从V1的集电极 (c极)输出,经电容器C2耦合至V2的基极,V2放大后的音频信号经C5和RP1加至V3的基极,经V3和V4复合放大后,驱动耳机BE发出洪亮的声音。
调节RP的阻值,可改变耳机放音音量的大小。
元器件选择
Rl-R5、R7-R9均选用1/8W碳膜电阻器;R6选用1/4W碳膜电阻器。
RP选用带开关的小型电位器。
Cl-C5均选用耐压值为1OV的铝电解电容器。
Vl-V3均选用3AX3l型锗PNP晶体管;V4选用3AX81型锗PNP晶体管。
BM选用录音机用驻极体话筒。
BE可用两个8Ω耳塞串联起来使用,也可将普通头戴式立体声耳机的左、右声道串联后使用。
工作电流调整
电路安装完毕后,应调整各级放大管集电极的工作电流。先在Vl的集电极回路中串人电流表,然后调整电阻器R7,使Vl的集电极电流为0.4-0.6mA。
在V2的集电极回路中串人电流表,调整R4的阻值,使V2的集电极电流为0.6-0.8mA。
将耳机与电路断开,在V3、V4的集电极与电源负极之间串接电流表后,调整R7的阻值,使复合管 (V3与V4)的集电极工作电流为2.4-3mA。
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