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金属探测器电路图四
接线图
2024年02月20日 21:20 248
admin
该金属探测器电路由探测振荡器、基准振荡器、混频器和信号显示器等组成，如图所示。
探测振荡器电路由时基集成电路IC1、电感器L1、电位器RPI、二极管VD1和电容器C1、C2组成。
基准振荡器（参考振荡器）电路由时基集成电路IC2、电感器L2、二极管VD2、电阻器RI和电容器C3、C4组成。
混频器由晶体管V、二极管V D3和电阻器R2～R4组成。
信号显示电路由集成电路IC3、电压表PV和外围阻容元件组成。
在探测器未探测到金属物体时，探测振荡器电路中ICl的3脚输出频率为26kHz的振荡信号，基准振荡器电路中IC2的3脚输出频率为25kHz的振荡信号。两个频率信号一同送入混频器中进行差频放大后，产生1kHz的差频信号，从IC3的1脚加人。该信号经IC3内电路处理后，从4脚和7脚输出零电平，故电压表PV的指针指在刻度盘正中间（“0”位）。
当探测器探测到金属物体后，探测振荡器的工作频率将高于或低于26kHz，由于基准振荡器的基准频率不变（始终为25kHz），IC3的1脚输入的振荡信号会偏高或偏低于1kHz，IC3的4脚、7脚会输出正或负的信号电压，使电压表PV的指针发生偏转。使用者根据电压表指针的偏转方向及偏转幅度大小，可判断出金属类别，并对金属定位。
元器件选择
R1～R7选用1/4W或1/8W碳膜电阻器。
RP1选用带开关的合成膜电位器；RP2选用不带开关的合成膜电位器或可变电阻器。
C1～C5、C7均选用瓷介电容器；C6选用耐压值大于10V的铝电解电容器。
VDI～VD3选用2AP9、2APl0型锗普通二极管或2AK系列的锗开关二极管。
V选用3DG6或S9018型硅NPN型晶体管。
IC1和IC2均选用NE555型时基集成电路；IC3选用LM2917N型集成电路。
L1用Φ0.49mm的高强度漆包线绕成直径为30cm的线圈（50～140匝），为增加其机械强度，可用开口铝管作支架，再装上手柄作为探测线圈；L2选用TDK色码电感器。
调试方法
电路装配好后，用频率计测量Ⅴ发射极的信号频率，然后调节电位器RP1，使信号频率为1kHz。若无频率计，也可将V发射极的输出信号送入半导体收音机的低频放大电路进行放大，然后调节电位器RP1，使收音机的声音最刺耳（在调节过程中，会发现RP1有两个位置使声音最刺耳，应选择RP1有效阻值较大的位置）。再调整RP2，使电压表PV的指针为刻度盘正中（“0”位置）。
在使用过程中，还应根据实际情况（例如温度、土壤湿度等），适时调节RP1，使电压表的指针居中。
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