PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor ，形成P-I-N结构而得名，如下图所示：如上图所示，处于...
高压静电发生器 二
接线图
2024年03月08日 10:55 237
admin
本例介绍的高压静电发生器，输出百流电压为1OOkV，可用于粉末涂料生产及高压静电喷塑。
电路工作原理
该高压静电发生器电路由振荡升压电路和倍压整流电路组成，如图8-116所示。
振荡升压电路由电阻器Rl-R3、电容器Cl-C3、晶闸管VTl-VT3、二极管VDl-VD6和升压变压器Tl-T3组成。
倍压整流电路由二极管VD7-VDl6和电容器C4-Cl3组成。
接通电源开关S后，ELA亮，Cl-C3开始充电，在Tl-m的绕组中产生充电电流，二次绕组中产生感应高压。当Cl-C3充满电时，VTl-VT3受触发导通，Cl-C3通过Tl-T3的绕组对VTl-VT3放电，使VTl-VT3截止，然后Cl-C3又开始充电，使VTl-VT3间歇导通，以上充、放电振荡过程周而复始地进行，即可在Tl-T3的二次绕组上产生近万伏脉冲高压。此脉冲高压经l0倍压整流 (VD7-VD9和C4、C8、C9为3倍压整流;VDlO-VDl2和C5、ClO、Cl1为3倍压整流;VDl3-VDl6和C6、C7、Cl2、C13为4倍压整流)后，产生1OOkV的直流高压。
高压发生器工作后，在放电间隙(司隙可调)产生放电火花，这样既可限制输出电压过高，又可以指示高压的有无。
整个电路安装完毕后，应用环氧树脂封装或浸在变压器油中，防止对空气放电。
元器件选择
Rl-R3均选用1/2W金属膜电阻器。
Cl-C3均选用耐压值为630V的CBB电容器;C4-C13均选用耐压值为lkV的高压瓷介电容器。
VDl-VD6均选用1N4007型硅整流二极管;VD7-VDl6均选用耐压值为2OkV的高压整流硅堆。
VTl-VT均选用3A、800V的晶同管。
Tl-T3使用14in黑白电视机的行输出变压器改制:绕组用φ0.41mm的高强度漆包线绕50匝，二次绕组使用原行输出变压器的高压包，安装时，二次绕组应与高压包拉开距离，可安装在高压包另一侧磁柱上。
S选用5A、220V的双极开关。
EL选用220V、2OOW的白炽灯泡。
电路工作原理
该高压静电发生器电路由振荡升压电路和倍压整流电路组成，如图8-116所示。
振荡升压电路由电阻器Rl-R3、电容器Cl-C3、晶闸管VTl-VT3、二极管VDl-VD6和升压变压器Tl-T3组成。
倍压整流电路由二极管VD7-VDl6和电容器C4-Cl3组成。
接通电源开关S后，ELA亮，Cl-C3开始充电，在Tl-m的绕组中产生充电电流，二次绕组中产生感应高压。当Cl-C3充满电时，VTl-VT3受触发导通，Cl-C3通过Tl-T3的绕组对VTl-VT3放电，使VTl-VT3截止，然后Cl-C3又开始充电，使VTl-VT3间歇导通，以上充、放电振荡过程周而复始地进行，即可在Tl-T3的二次绕组上产生近万伏脉冲高压。此脉冲高压经l0倍压整流 (VD7-VD9和C4、C8、C9为3倍压整流;VDlO-VDl2和C5、ClO、Cl1为3倍压整流;VDl3-VDl6和C6、C7、Cl2、C13为4倍压整流)后，产生1OOkV的直流高压。
高压发生器工作后，在放电间隙(司隙可调)产生放电火花，这样既可限制输出电压过高，又可以指示高压的有无。
整个电路安装完毕后，应用环氧树脂封装或浸在变压器油中，防止对空气放电。
元器件选择
Rl-R3均选用1/2W金属膜电阻器。
Cl-C3均选用耐压值为630V的CBB电容器;C4-C13均选用耐压值为lkV的高压瓷介电容器。
VDl-VD6均选用1N4007型硅整流二极管;VD7-VDl6均选用耐压值为2OkV的高压整流硅堆。
VTl-VT均选用3A、800V的晶同管。
Tl-T3使用14in黑白电视机的行输出变压器改制:绕组用φ0.41mm的高强度漆包线绕50匝，二次绕组使用原行输出变压器的高压包，安装时，二次绕组应与高压包拉开距离，可安装在高压包另一侧磁柱上。
S选用5A、220V的双极开关。
EL选用220V、2OOW的白炽灯泡。
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