克服模拟CMOS危害静电及过压,这样就可以了-电路图讲解-电子技术方案
对于模拟CMOS(互补对称金属氧化物半导体)而言,两大主要危害是静电和过压(信号电压超过电源电压)。了解这两大危害,用户便可以有效应对。
静电
由静电荷积累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的,因为栅极受片内齐纳二极管保护,它可使电荷损耗至安全水平。
然而,在插人插座时,CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路,栅极上的电荷会穿过氧化层释放而损坏器件。
以下四步有助于防止器件在系统装配阶段受损:
将未使用的CMOS器件存放于黑色导电泡沫材料中,这样在运输时可以防止引脚之间积累电荷;
负责器件接插的操作人员应通过一个塑料接地带与系统电源地相连;
从防护性的泡沫材料中取出CMOS器件前,泡沫材料应与电源共地,释放掉积累的电荷;
在电路插人电路板之后,移动电路板时应保持电路板接地或屏蔽。
SCR闩锁
在使用模拟CMOS电路时,最安全的做法是确保没有超过电源电压的模拟或数字电压施加到器件上,并且电源电压在额定范围内。尽管如此,实施承受过压保护也是有必要的。如果理解了问题的机制,保护措施在大多数情况下都会是行之有效的。
图1是一个典型CMOS输出开关单元的电路图及截面图。从不同单元和区域之间的连接关系中,我们可以画出一个等效二极管电路图(图2)。如果在S端或D端的模拟输人电压超过电源电压。
图1:典型CMOS输出开关单元的电路图及截面图
图2:等效二极管电路图
由不同二极管结产生的寄生晶体管就会处于正向偏置模式。这些寄生的NPN和PNP晶体管形成如图3所示的SCR(可控硅整流器)电路。
图3. CMOS开关中的寄生晶体管益沦应
过压能引起过大的电流和金属化问题。通常,运算放大器的输出作为S端或D端的电压源,因此电流不能大于运算放大器直流输出电流的限值。然而,瞬态感应电流仍有可能破坏CMOS器件;因此,有必要进行保护。
图4举例说明了通过在电源供电引脚串联二极管(比如1N459)防止寄生晶体管导通的方法。如果S端或D端电压高于电源电压时,CR1和/或CR2反向偏置,基极驱动电路不能使晶体管导通。每个CMOS器件都应该有一对独立的二极管对其进行保护。尽管这个方法很有效,但它不是万无一失的。如果开关的一端连接到一个负电位(例如一个充电电容),并且另一端电压超过VDD,则尽管有保护二极管。
图4:电路保护方案
在Q2的一个发射极的雪崩二极管足够提供基极驱动使Q2导通。对于这种情况,必须要有一个与电容串联的限流电源或者电阻。
如果在S端或D端有瞬时过压,那么由电压源供电的端口处的串联电阻的建议值为300至400Ω(图4b)。
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最近在做个项目,涉及AC/DC电源设计,由于AC/DC由于功率增加带来了诸多麻烦,设计复杂度比DCDC要多得多,所以反问一个很基础的问题:为什么半导体都是用直流电,但是发电厂送来的都是交流电?
而人类最早用电的需求就是来自照明,就跟在夜晚时候,一个灯泡就可以点亮黑暗,而不是跟古代人一样用昏暗的蜡烛来照明。所以这就让我们要感激当时在地球上发明了灯泡的爱迪生,他是在19世纪享誉盛名的天才发明家。
而上帝就在他那个年代,放置了一个同样也是拥有几百项发明专利的青年才俊特斯拉,而他们两位就在相同的领域,并且每个人都具备大量发明专利的情况下,展开了一场世纪大战,那就是来自交流电跟直流电的纷争。
而这就牵扯到这两位天才发明家在地球上的地位,所以在当时两者为了赢得全世界的赞誉都是煞费苦心,爱迪生代表了直流电这一边,而特斯拉就代表了交流电这一侧,曾经的交流电直流电之争在目前来看,当时还是相当精彩。
当年那个电器大量开始出现的年代,爱迪生为了赢取大家的认可,不惜用交流电电死了一头健壮的牛,劝告人们要远离交流电,而最终的结果却出乎意料,那就是特斯拉代表的交流电赢了爱迪生的直流电。而这其中,这两种电究竟有何区别?
流电跟直流电在本质上来说,其实就是方向跟大小这两者的问题,也就是说直流电就是一直大小不改变方向也不改变的电流,而交流电则就是会改变方向跟大小的电流,两者拥有如此巨大的差距,能够让特斯拉的交流电胜出,这是地球上科技发展的必然趋势。
为在随着用电时代的到来,大部分地区都开始远距离输送电流,每家每户的电都是通过电厂在冗长的电线中输送过去,而在这样远距离的输送过程中,要是一直利用直流电来输送,不方便进行升压,如果用低压传输就会出现电力大量浪费的情况,不利于经济节约是小事,传输线会因为电流过大无法承载大功率的应用。
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