一个加密工程让你实现无忧烧录量产-电路图讲解-电子技术方案

当产品正式转产批量生产烧录时，您是否担心过批量烧录过程能否真正保证核心敏感数据的安全，是否困扰过如果遇到有心人刻意窃取山寨，又是否有可靠有效的保护措施防范?今天我们就来分享一种加密工程的机制，让您实现无忧烧录量产。

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加密工程是为了IC的安全烧录量产而设计实现的一种机制。通过采用复杂加密算法对工程配置、烧录文件等敏感数据进行加密，人们即使拿到加密工程看到的也是乱码，从而达到数据本身的安全;此外，还需配套安全可靠的授权系统，保证任何没有经过授权的烧录器都无法打开加密工程进行非法偷产，保证加密工程只能在指定的烧录器上进行生产。

以P800系列产品为例，让我们看一下加密工程如何设置?下面分步分功能进行说明。

第一步：按正常流程创建并配置一个烧录工程;

第二步：配置——工程配置——工程信息，在这个页面勾选“加密工程”项，并设置密码。此步完成之时，就已将原始烧录数据文件加密生成了一个新的加密文件(存放在工程目录下)，此时就可从烧录器删除原始数据文件了，以免原始数据外泄。后续如果需要再修改加密工程的工程配置，必须输入正确的密码。

第三步：配置——工程配置——工程选项-操作，在这个页面可以配置常规可操作项，如本例只开放了“量产”操作，产线普通员工只能执行“量产”操作，从而避免执行其他操作导致生成事故。

第四步：配置——工程配置——工程选项-配置，在这个页面可以配置常规可配置项，如本例中移除了所有配置项，这样产线普通员工将无法配置修改烧录工程，从而避免胡乱修改配置导致生成事故。

第五步：加密工程可以限制在某台机器进行烧录。默认只有制作工程的本机才能打开加密工程，如果加密工程的制作和使用分别在不同的烧录器上，那么制作方需额外生成用于指定机器的授权文件，默认名字叫new.lic，部署到目标机器时将new.lic覆盖为“工程名.lic”即可。

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1、由于电荷存储效应，晶体管BE之间有一接电容，与Rb构成RC电路，时间常数较大影响了晶体管的导通和截至速度（即开关速度）。

2、加速电容作用。

（1) 控制脉冲低电平时，电路达到稳态时，晶体管截至，电容两端电压为零。

（2） 控制脉冲高电平到来时，由于电容电压不能突变，电容需继续保持零，这样，晶体管基极B电压突变到高电平，使晶体管迅速导通；电容被充电到脉冲电平电压；进入到稳态，电容电压为脉冲电平电压。

（3） 此后，当控制脉冲低电平到来时，由于电容电压不能突变，需继续保持脉冲电平电压，因此，基极电压从零（实际为be压降)跳变到负的脉冲电平电压，时得晶体管迅速从饱和状态转到截至状态；此后，电容通过R放电，达到稳态时，两端电压为零。

（4）然后，重复以上过程。

1．典型的加速电容电路   T491D475M050AT 图2所示是脉冲放大器（一种放大脉冲信号的放大器）中的加速电容电路。

电路中的VT1是三极管，是脉冲放大管，Cl并联在Rl上，Cl是加速电容。Cl的作用是加快VT1导通和截止的转换速度，所以称为加速电容。

2．电路工作原理分析

电路中的三极管VT1工作在开关状态下（相当于一个开关），Ui为加到三极管VT1基极的输入信号电压，是一个矩形脉冲信号。当U为高电平时，三极管VT1饱和导通；当Ui为低电平时，三极管VT1截止。

加速电容Cl与三极管VT1输入电阻Ri构成如图3(a)所示的等效电路。

(1)加速导通过程。当输入信号电压Ui从OV跳变到高电平时，由于电容Cl两端的电压不能突变，加到VT1基极的电压为一个尖顶脉冲，其电压幅值最大，如图3 (b)所示。这一尖顶脉冲加到VT1基极，使VT1基极电流迅速从OA增大到很大，这样VT1迅速从截止状态进入饱和状态，加速了VT1的饱和导通，即缩短了VT1饱和导通时间（三极管从截止进入饱和所需要的时间）。

(2)维持导通过程。在t0之后，对Cl的充电很快结束，这时输入信号电压Ui加到VT1基极的电压比较小，维持VT1的饱和导通状态。

(3)加速截止过程；当输入信号电压U从高电平突然跳变到OV时，如图3(b)所示的tl时刻，由于Cl上原先充到的电压极性为左正右负，加到VT1基极的电压为负尖顶脉冲。由于加到VT1基极的电压为负，加快了VT1从基区抽出电荷的过程，VT1以更快的速度从饱和转换到截止状态，即缩短了VT1向截止转换的时间。

由于接入电容Cl，VT1以更快的速度进入饱和状态，同样也是以更快的速度进入截止状态，可见电容Cl具有加速VT1工作状转换的作用，所以将Cl称为加速电容。

这种加速电容电路主要出现在电子开关电路（用三极管作为开关的电路）或脉冲放大器电路中，音频放大器不用这种电路。

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