利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失-电子技术方案|电路图讲解

作者：应用材料公司金属沉积产品事业部接触和中段产品线全球经理Jonathan Bakke 0; 在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今，由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象，因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断，从而留下孔洞。即使没有孔洞，由于填充物从侧壁生长，在共形沉积时必然会在中间形成中心缝隙问题。   这些属性使极细小的成核层在化学机械抛光(CMP)过程中容易被渗透，使CMP浆料进入，从而破坏钨插塞。这会导致高电阻产生，或使得负责传递晶体管信号的互连完全损坏。先进芯片设计中的高密度特征以及缺乏多余的通孔，意味着一个简单的孔洞就会造成器件完全损坏，从而带来严重的良率损失（图1）。         

 图1：上图中，y轴显示了器件的良率损失，x轴为通孔缺陷率。十亿分之一的缺陷就会导致20nm节点的芯片产生15%以上的良率损失，而在更小节点的器件中这一情况会更为严重。   我们的新方法采用了独特的“选择性”抑制机制，可生成自下而上的填充，而不会产生缝隙和孔洞问题。对成核层的上部区域进行特殊的预处理可促成钨自下而上生长，从而尽可能减少因夹断而造成的孔洞或接触区缝隙的产生。   这一“缝隙抑制型钨填充工艺”（SSW）有效优化了钨的体积，可制成更牢固的成核表面，便于填充后续的集成工序。这样也可以降低对CMP和介质蚀刻工艺的要求，从而带来性能、产品设计和良率方面的改善。

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让IT不再“挨踢”，让“员”力成为原力

时代在变。当今世界，传统行业与互联网的融合对接，对业务形态和模式提出新的挑战，行业迭代竞争越来越激烈，大中型企业面临严峻挑战。一方面是企业降低成本和提高效率、转型升级的压力，另一方面是用户需求越来越个性化，员工个体因素对创新的影响越来越大。毫无疑问，在这个智能互联时代，加速企业数字化转型是大势所趋，能否主动顺应变化，重构用户体验、业务流程、产品服务和商业模式，已经成为企业竞争力的重要考虑。

数字化企业中，电脑Out了吗？

企业竞争力很大程度上取决于对IT系统的部署和应用。今天的IT系统与过去有很大不同，不仅仅是办公工具，还要融合云计算、数据分析、社交媒体以及各种移动设备、智能设备应用。然而现状是怎样的呢？IDC报告[1]分析说，目前很多企业对于IT应用的概念还停留在简单的OA应用；终端设备存在“老龄化”问题，IT维护人员疲于奔命，IT系统既影响企业整体的生产效率，也不利于主动参与市场竞争。在此窘局之下，IT被戏称“挨踢”也真是可以理解的。

科技是第一生产力，而员工的智慧是企业转型升级的原动力。今天的企业内部，更加重视协同工作、知识共享、创客文化，越来越多的员工对新技术、新设备、新体验有着更大期待。多数员工会倾心“高科技福利”，有人会因为一家公司装备全新酷炫电脑而选择加入。另一方面，随着智能终端的多样化和计算性能的提升，企业更好更合理地利用智能终端产品，将大幅提升企业的生产效率。让“员”力成为原力，IT举足轻重。

数字化企业中，电脑Out了吗？答案是否定的。IDC[2]称，商用智能终端中，PC始终是核心的办公生产力工具。一个典型的场景是，许多白领一上班坐到工位上，会马上在PC浏览器中同步微信。这是一个缩影，说明PC仍然是每位员工最重要的工具。如何通过电脑最大限度地发挥员工能量、提高员工效率，将影响到每一个部门，最终影响企业整体生产力。

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