晶闸管可控硅伏安特性伏安特性曲线

由图可以看出，晶闸管（可控硅）的阳极和阴极间加上正向电压，而控制极不加电压时，晶闸管的J₁、J₃结处于正向偏置，J₂结处于反向偏置，晶闸管只能通过很小的正向漏电流I_DR，即特性曲线的OA段，称为正向阻断状态。当阳极电压继续增加到图中的U_B0值时，J₂结被反向击穿，阳极电流急剧上升，特性曲线突然由A点跳到B点，晶闸管处于导通状态。

晶闸管导通后，如果减小阳极电流，则当I_A

当控制极加上电流I_G

当晶闸管的阳极电压为负时的伏安特性称为反向特性。晶闸管加反向电压时，J₁、J₃结处于反向偏置，J₂结处于正向偏置，晶闸管只流过很小的反向漏电流。这段特性与二极管的反向特性相似，晶闸管处于反向阻断状态。当反向电压超过图中的U_BR值，管子被击穿，反向电流急剧增加，使晶闸管反向导通，成为不可逆击穿。U_BR

晶闸管正常工作时，外加电压不允许超过反向击穿电压，否则管子将被损坏。同时，外加电压也不允许超过正向转折电压，否则不论控制极是否加控制电流