MOSFET栅极驱动电路原理

下面是MOSFET栅极驱动电路原理的电路图

MOSFET栅极驱动电路原理

原理：如下图是由晶体管等构成的功率MOSFET栅极驱动电路。

该电路由两个正向变换器构成:一个是对功率MOSFET栅极电容充电的变换器;另一个是对其栅极电容放电的变换器。

推荐的电源电压为12一15V。在驱动脉冲的上升沿，VT5接收到脉冲，对于图中给定的Cl和Rl的值，典型持续时司为2OOns，并将脉冲传输到变压器Tl的次级。当VT6和VD3为适当的偏置时，该次级脉冲对被驱动的功率MOSFET的栅极-源极司电容充电，然后将电流路径关闭。在驱动脉冲的下降沿，VT7接收到脉冲，并将脉冲传输到变压器T2的次级。

当VT8和VD7为适当的偏置时，为被驱动的功率MOSFET的栅极-源极间电容提供放电回路。当变压器Tl和T2无信号传输时，被驱动的功率MOSFET的栅极-源极间电压完全阻断，栅极-源极间电容既不充电也不放电，因此，被驱动的功率MOSFET的工作点保持不变。变压器的第3个绕组用于泄放磁化电流，在变压器不饱和的情况下，允许电路高频工作。