DRDRAM是由Rambus和Intel合作开发的一种新型内存，它采用184针接口模组，与芯片组之间的接口宽度为16bit,如果带ECC校验其接口宽度将为18bit.DRDRAM的...

2024-02-20 167 内存 接口 模组 总线 显卡

Intel 845E是为了533MHz外频Pentium 4推出的DDR芯片组，它正式支持533MHz的系统前端总线，支持DDR266的内存规范，由于i845PE的推出，其价格势必...

2024-02-20 156 总线 内存 适配器 电源

很多内存芯片制造商在试制800MHz的DRDRAM（即PC800 DRDRAM）时发现，如果要达到DRDR AM技术规范的要求，就必须使用0.18微米甚至更高的制造技术，这意味着要投入大量的...

2024-02-20 163 内存 芯片 intel 处理器 BGA

INTEL 810芯片组还分为810-L/810/810-DC100/810E四类，其中810-L是档的不支持DMA/66,不带4MB显示缓存；810支持ULTRA DMA/66,不带4MB显示...

2024-02-20 171 芯片 内存 总线 cpu 接口

I810芯片组由82810,82801和82802三块薪片构成， INTEL 810芯片组还分为810-L/810/810-DC100/810E四类，其中810-L是档的不支持DM...

2024-02-20 160 芯片 内存 总线 cpu 接口

英特尔的此款i875芯片组主要面向得是高端服务器市场。非常引人注意得是此款i875芯片组将允许16颗或以上的微处理器组成的平衡多处理系统，这将给目前的商业网络带来功能强大的计算机性...

2024-02-20 194 芯片 服务器 微处理器 处理器 内存

采用饱和变压器是内存不易失去及不受错误指令信号影响。变压器保持带磁偏压，无需电压电源提供基准状态，当电源打开时，内存锁返回。当比特最初在电路中存储，设置或复位脉冲必须具有35微秒的最小宽度和65微秒的...

2024-02-20 174 变压器 内存 电源

1 引言 随着存储技术的不断进步，Flash Memory的存储容量越来越大，读写数度越来越快。性能价格比越来越高。但是，NAND Flash本身存在缺点，归纳起来有两点：读写控制时序复杂...

2024-02-06 194 总线 接口 导线 存储器 内存

小型高容量电容可进行内存备份。在这里，一个0.1F（100,000μF）电容和两个二极管取代锂电池。锂电池也可保留且提供双备份。 ...

2024-02-06 251 电容 内存 二极管 电池 锂电池

Rayeager PX2增强版采用Rockchip PX2处理器，内置双核ARM Cortex-A9，内存1GB DDR3@400MHz，运行频率1.4GHz，配...

2024-01-30 172 内存 lcd 接口 导航仪 电子