该200MHz的JFET级联电路具有很多特点，包括低交叉调制，信号处理能力大，无中和，和前通过偏置上JFET级联控制的AGO。这个电路的特殊要求就是，上层单位的BSS必须比下层单位的要大。 ...

2024-03-08 160 200MHz FET

提高20分贝陶瓷元素输出，源FET前置放大器和15V电池适合用于特纳3500手话题。前置放大器的频率响应频率为200赫兹到100千赫。只有当推到通话键被按下，给予电池很长的寿命，消耗才会是200μA。...

2024-03-08 221 FET 前置放大器 电池 放大器

如图所示是低噪声双栅FET构成的144MHz窄带放大器，输入输出侧都采用谐振电路，谐振于144MHz，带宽约为5MHz，它由谐振电路的有载Q值决定。 ...

2024-03-08 179 FET 放大器 5MHz

在741运放器的峰值检测控制回路中，JFET作为电压控制电阻。输入范围为20mV至20V，并且带有1.2毫秒的响应时间和0.4秒的延迟。在60分贝的范围之上，输出大约1.4V PP。 &nb...

2024-03-08 159 FET 电阻 1.4V

该电路对于检测静电电荷很有用。在运行过程中，C1交流噪音降低，同时灵敏度也稍有降低。MPF102和R1构成一个分压器，当FET栅极接地，分压器输出约为4.5伏同时Ml显示半刻度读数为200μA。&nb...

2024-02-20 165 MPF102 分压器 FET

每个阶段提供0°到180°相移。通过连接两个阶段达到0°到360°的相移。2N3070 JFET不加载相移网络。 ...

2024-02-20 149 2N3070 FET

每个J202 JFET级提供高达180°相移，由1兆欧的电位计控制。电位计组进行全方位控制。JFETs是指定电路的理想选择，因为它们不负载相移网络。 ...

2024-02-20 156 J202 FET 电位计

JFET用作隔离器为低频输入信号提升运放器的输入阻抗至22兆欧。当频率增至大约20kHz时，阻抗下降至3.9兆欧。当使用18V电源时，电路的总增益约为45分贝。 ...

2024-01-30 160 FET 隔离器 电源

3V/12V DC/DC变换电路：LT1109为三端器件，没有关闭电源控制端。若外接一些元件可组成有关闭功能的电路。FET的栅极为低电平时，电源关闭，静态电流等于零。 ...

2024-01-28 157 DC/DC LT1109 电源 FET

电路如图所示，模拟开关用FET管BG1、BG2和BG3及A2构成缓冲电路。BG1,BG2分别为取样/保持方式控制电路，工作电流分别为400uA和100uA,总电路为低功耗型电路。 &...

2024-01-26 199 开关 FET