和TTL器件不同的是，CMOS技术制成的集成电路可以提供足够的电流来驱动图示的LED。 ...

2024-01-28 188 MOS 集成电路 led

这个简单的电路能将任意运行于零下至接地电源的逻辑功能（如MOS）水平转移至任意运行于零下至接地电源的逻辑水平（TTL）。2N5639提供低rdc和快速开关时间。 ...

2024-01-28 165 电源 MOS 2N5639 开关

本文主要讲了一下关于3V-5V电平转换电路图，下面一起来学习一下： 如图左端接3.3VCMOS电平，可以是STM32、F...

2024-01-28 179 MOS ST 电阻 三极管 蜂鸣器

使用 Unisonic Technologies 制造的 UTC1618 CMOS IC 可以设计一个非常简单的低成本报警电子报警电路项目。 UTC1618 CMOS IC 需要很少的额外组件，可用...

2024-01-28 251 UTC MOS 电子 直流电源

本电路的目的是用于TTL逻辑电路必须防止过电压，可以非常迅速的摧毁TTL芯片。对过电压的持续时间可以摧毁的TTL芯片太短暂触发任何传统的导火索，因此只有其他半导体电路，可以起到保护一对一个稳定的电...

2024-01-26 294 逻辑电路 芯片 半导体 数字电路 MOS

如图所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为"开",而NMOS晶体管"关".当放大器的输入更接近于正电压轨...

2024-01-26 197 放大器 MOS 晶体管 晶体 电源

当输入电压在正常范围，输入采样电压小于基准电压，比较器输出低电平：当输入过压，输入采样电压大于基准电压，比较器输出高电平，ARM产生外部中断，发出警报，封锁PWM信号，使PMOS管...

2024-01-26 239 比较器 ARM PWM MOS

IGBT的伏安特性如图1-33a所示。与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压Uos而不是基极电流。 图1-33b表示出IGBT的转移特性，它与VMOS管的转移特性相同。在大...

2024-01-26 224 IGBT MOS 开关

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor 结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分,分别叫PMOS管和NMOS管。由MOS管构成的集成电路称为...

2024-01-26 213 半导体 晶体管 MOS 晶体 集成电路

快速傅里叶变换算法FFT运算器电路 如图为快速傅里叶变换算法FFT运算器电路图。FFT是一种短时间进行脉冲调制的数字信号的傅里叶变换算法。它由4从实数乘法和6次实数加法构成。运算主要部分是乘法/...

2024-01-26 326 芯片 存储器 发生器 集成芯片 MOS