元器件选择：电容Cl为20p，C2为100p，C3、C7为820p，C4为56p，C5、C8为47p，C6为47μF／50V。电感Ll为22μH(色码电感 ，L2为0．3μH。电阻Rl为1．6kΩ...
2023-09-27 213 并联 晶体振荡器
在接收侧，信号由两个低噪声放大器（Q1 和 Q11）放大，每个频段一个。它们是使用BFP650 硅锗晶体管制成的。LNA 的增益约为 14dB，噪声系数为 1dB。LNA...
2023-08-22 312 晶体管 二极管 晶体振荡器
晶体以其串联谐振频率振荡。CMOS 反相器最初由反馈电阻器R1偏置到其工作区域的中间。这确保了逆变器的Q点处于高增益区域。这里使用1MΩ阻值的电阻，但其值并不重要，只要大于...
2023-08-04 252 晶体振荡器 电阻器 逆变器
CMOS晶体振荡器 晶体以其串联谐振频率振荡。CMOS 反相器最初由反馈电阻器R1偏置到其工作区域的中间。这确保了逆变器的Q点处于高增...
2023-07-28 295 电阻器 晶体管 晶体振荡器
如下图所示为一款低功率5V驱动的温度补偿晶体振荡器电路图....
2023-01-22 271 晶体振荡器
