场效应管按沟道半导体材料的不同，可以分为结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。 场效应管按导电方式的不同，可分成耗尽型与增强型。 ...
2024-03-08 172 场效应管 半导体材料
FAN4810工作于前沿平均电流、电流连续（CCM）升电压输出工作模式，内部的三重安全检测技术可使电路免受由于某个电路元器件的损坏而使电路处于不正常工作状态；栅极输出驱动能力高达1A，因而无须外接...
2024-03-08 237 元器件 MOSFET 半导体材料 比较器
在一块N型（或P型）半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（或N型区），就形成两个不对称的PN结。把两个P区（或N区）并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型（或P型）半导体的两端...
2024-03-08 163 半导体材料 半导体 场效应管 结型场效应管 放大电路
采用霍尔元件是基于霍尔效应原理，用半导体材料制成的。所谓霍尔效应：即通电导体置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，激流导体上平行于电流磁场方向上的两个面之间会产生电动势，如图所示： 霍...
2024-02-20 221 霍尔元件 半导体材料 电机 线圈 磁钢
光伏电池是利用半导体材料的光伏效应制作而成的。所谓光伏效应是指半导体材料吸收光能，由光子激发出电子-空穴对，经过分离而产生电动势的现象。光伏电池的I-V特性随日照强度S（W/㎡）和电池温度t（℃...
2024-02-06 195 电池 半导体材料 半导体 电子 光伏电池
霍尔传感器电路如图。霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发...
2024-02-04 215 传感器 霍尔传感器 电机 霍尔元件 半导体材料
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall,1855-1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体...
2024-02-04 201 传感器 电机 霍尔元件 半导体材料
霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，...
2024-02-04 186 霍尔元件 半导体材料 半导体 1MHZ
当PN结加反向偏压时，外加电场方向与PN结的内建电场方向一致，势垒加强，在PN结界面附近载流子基本上耗尽形成耗尽区。当光束入射到PN结上，且光子能量hv大于半导体材料的带隙Eg时，价带上的电子吸...
2024-02-04 218 半导体材料 电子 二极管 光电二极管 光纤
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等...
2024-02-04 214 传感器 电机 霍尔元件 半导体材料
